公开(公告)号：CN102313835B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201110204341.7

申请日：2011-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 杨瑞霞 ,  王伟 ,  武一宾 ,  牛晨亮

IPC: G01R19/08 ,  G01R29/12 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率；计算被测样品在不同磁场下的电导张量；砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法，克服了现有测量方法中操作繁琐，效率低下，存在一定误差，以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点。

公开(公告)号：CN102103930B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010527939.5

申请日：2010-11-02

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘守彬 ,  田汉民 ,  杨瑞霞 ,  田学民 ,  王伟 ,  杨帆 ,  赵红东 ,  吕俊 ,  李毅杰

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。