公开(公告)号：CN112481519A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011246267.0

申请日：2020-11-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王清周 ,  焦志娴 ,  殷福星 ,  张建军 ,  刘力 ,  冀璞光 ,  姚畅

IPC: C22C9/01 ,  C22C1/10 ,  C22C1/03 ,  C22C1/06 ,  C22F1/08 ,  C21D1/18 ,  B22F9/04 ,  B22F3/04

Abstract: 本发明为一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法。该方法包括如下步骤：第一步，将Cu51Zr14孕育剂颗粒与多层石墨烯混合球磨后，得到复合粉末；第二步，将复合粉末冷压成形，得到预制块体；第三步，在CuAlMn形状记忆合金熔炼时，加入Cu51Zr14孕育剂与多层石墨烯的预制块体，待CuAlMn形状记忆合金凝固后，重新升温至850～900℃，保温后于室温的水中淬火，制得高阻尼CuAlMn形状记忆合金。本发明克服了现有技术仅通过细化晶粒对阻尼性能提高有限，而通过第二相析出增加界面数量提高阻尼时，第二相的大小、数量较难控制等不足，使得CuAlMn形状记忆合金的阻尼性能显著提高。