公开(公告)号：CN115483341A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210977209.8

申请日：2022-08-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 高杰 ,  李佳慧 ,  苗蕾 ,  刘呈燕 ,  彭英 ,  贾立达

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种柔性N型尼龙基硒化银热电薄膜的制备方法，先通过溶剂热法合成硒化银颗粒然后在乙二醇中均匀分散，之后均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，再经过放电等离子体烧结(SPS)处理，得到均匀致密的柔性尼龙基硒化银薄膜。本发明制备得到的薄膜热电性能较为优异，所采用的放电等离子体烧结(SPS)工艺可对薄膜微观形貌及载流子传输特性进行调控，降低了薄膜中的银含量，形成有序纤维结构，从而降低了载流子浓度并提高了载流子迁移率，使得Seebeck系数和电导率同时增强，该方法工艺简单，制备周期短，安全无污染，得到的薄膜热电性能优异，柔性良好。

公开(公告)号：CN113921690A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111006809.1

申请日：2021-08-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭英 ,  农剑 ,  苗蕾 ,  高杰 ,  刘呈燕

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上下施加压力的模具中进行预压实；(3)将装有前驱粉体的模具转移到反应容器中，进行反应，冷却后，得到硼、铝双掺的硅锗基热电材料。本发明通过特定含量的硼与铝双掺杂，并结合特定合成工艺，综合提升硅锗基热电材料的性能，本发明制备的硅锗基热电材料，易于实现工业化制备，且在更低温度时，能实现更高的ZT值，可大幅提升其热电转化效率及获得更广阔的应用。

公开(公告)号：CN106505142B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610831800.7

申请日：2016-09-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 苗蕾 ,  高杰 ,  刘呈燕 ,  王潇漾 ,  彭英

IPC: H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳米线分散液均匀滴涂在玻璃纤维滤膜上，于75℃真空烘干得到粘附在玻璃纤维滤膜上的碲化银纳米线薄膜；将其夹在两张复印纸之间，放置于压片机中挤压成型，然后用刷子去掉碲化银纳米线薄膜背面的玻璃纤维滤膜碎片，置于真空烘箱中退火得到目标产物。本发明简单可控、制备周期短、安全无污染、能耗低、得到的薄膜热电性能优异，柔性良好，可以灵活地根据玻璃纤维膜的大小及形状制备出不同大小及形状的柔性热电薄膜，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105633266A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511023207.1

申请日：2015-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 苗蕾 ,  高杰 ,  刘呈燕 ,  王潇漾 ,  彭英

IPC: H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34

Abstract: 本发明涉及一种柔性还原石墨烯(RGO)/碲纳米线(Te NWs)复合热电薄膜的制备方法。其特点包括以下步骤：以氧化石墨烯(GO)粉末与聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)为原料，通过水热法还原制备可在水中分散的RGO；以亚碲酸钠(Na2TeO3)为原料，水合肼(N2H4·H2O)为还原剂，通过水热法还原制备可在水中分散的TeNWs；将一定量RGO和Na2TeO3分别超声分散在水中后，在真空抽滤辅助下，将RGO分散液与碲纳米线分散液依次滴涂在柔性玻璃纤维膜上，真空下将玻璃纤维膜烘干。在Ar/H2混合气氛中，于200℃下将覆有复合薄膜的玻璃纤维退火一定时间，得到柔性还原石墨烯/碲纳米线复合热电薄膜。本发明具有工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、柔性薄膜热电性能优异等特点。