基于随机频偏的OFDM-FDA雷达通信一体化实现方法

    公开(公告)号:CN111025255A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911363182.8

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明公开了基于随机频偏的OFDM-FDA雷达通信一体化实现方法,其特征在于,包括如下步骤:1)初始化雷达通信一体化收发模型;2)确定通信信号的基本形式;3)确定OFDM符号的子载波的初始频率;4)确定阵元间的频率间隔;5)形成一体化信号;6)通信相干解调解调;7)雷达相干解调。这种方法采用单次脉冲发射多载波的雷达通信一体化方法能提高频谱利用率和增大数据传输速率,能实现多载波通信信号的传输及频控阵雷达目标定位的功能,提高电子设备的综合能力。

    一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路

    公开(公告)号:CN216016718U

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202122464036.3

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 本实用新型公开一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路,由环形振荡器、缓冲差分电路、2个正负时钟产生电路、电荷泵和整流电路构成。在传统的栅极交叉耦合升压电路中,从缓冲差分电路输出的时钟信号直接作为三级交叉耦合电荷泵的控制时钟。本实用新型设计了正负电压时钟产生电路,用以对电荷泵中NMOS管在工作和关断时进行衬底的动态偏置,电荷泵中的PMOS管的衬底则由整流电路的输出进行偏置,从而降低了晶体管正向导通和反向导通的损耗,提升了升压效果。

    一种高线性度低谐波失真伪电阻电路

    公开(公告)号:CN216531251U

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202123016513.6

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本实用新型公开一种高线性度低谐波失真伪电阻电路,PMOS管M1的1号端口、PMOS管M2的衬底和偏置电压源V1的正极相连,并形成伪电阻本体的A端口;偏置电压源V1的负极接PMOS管M1的栅极;PMOS管M1的2号端口连接PMOS管M2的1号端口;PMOS管M2的2号端口、PMOS管M1的衬底和偏置电压源V2的正极相连,并形成伪电阻本体的B端口;偏置电压源V2的负极接PMOS管M2的栅极。本实用新型通过对常规对称伪电阻的衬底连接进行修改,将两个管子的衬底分别连接在另一个管子的信号输入端,其基本原理是通过减小PMOS管的过驱动电压的下降速度来提高线性度。

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