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公开(公告)号：CN104649660B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1‑u)BiFe1‑xMexO3–uBaTi1‑ y(Zn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN104108930B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410349447.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1?x)Bi1/2Na1/2TiO3?x(La,Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La,Bi)中La:Bi=1:1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN104649663A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510104202.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1-x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3-x(35BaO-15ZnO-10Al2O3-20B2O3-20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。
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公开(公告)号：CN104649660A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1-u)BiFe1-xMexO3–uBaTi1- yZn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN108558391B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108516823B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810668010.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108706971A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107151138A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号：CN107140968A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710330695.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05
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公开(公告)号：CN107010941A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710302248.7
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3) 13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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