公开(公告)号：CN107428127A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018878.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  吴东炫 ,  黄智泳 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨 ,  朴宣赢

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  G02F1/13 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L51/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

公开(公告)号：CN107197627A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201680005431.4

申请日：2016-02-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 林振炯 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  李一翻

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。根据本发明的一个实施方案的导电结构体的制造方法包括以下步骤：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成步骤通过使用CO2的反应溅射来进行。