公开(公告)号：CN101344438A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810135718.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 水野雅夫 ,  平野贵之 ,  富久胜文

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明提供一种不需要外部配线，也没有杂质和粉尘发生，能够进行从低温至高温的广阔的温度范围中的最高到达温度的测定的温度测定构件、温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机4和IO板5被输出到运算处理装置6的图像数据为基础，以个数计算部7计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器8中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部9求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定元件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。

公开(公告)号：CN101009205A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610171976.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之 ,  田中丈晴 ,  铃木哲雄 ,  福本吉人 ,  中西和树 ,  金森主祥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC classification number: H05K3/0011 ,  B32B21/04 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969

Abstract: 一种多孔基板，包括：在基板内部的三维网状骨架、以及与在基板至少一个表面上形成的骨架固相质量相同的表层，并且其制造方法包括：通过溶胶－凝胶反应在一对平板之间的空间中形成湿凝胶，该湿凝胶具有三维网状骨架固相和富含溶剂的液相，所述固相和液相相互分离，通过干燥去除湿凝胶中的溶剂，和除去该对平板中的至少一个平板。

公开(公告)号：CN104885155B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201380068291.1

申请日：2013-12-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 铃木哲雄 ,  藤原直也 ,  平野贵之

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/731 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明的磁记录介质用铝基板为成膜有厚度6μm以上的SiO2膜的铝基板，其特征在于，前述SiO2膜是将前述铝基板加热至150℃~370℃并利用气相成膜法而成膜的。

公开(公告)号：CN103972246B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410205558.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN102473732B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080033080.0

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN102612859A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080051843.4

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  平野贵之 ,  前田刚彰

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5218 ,  C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L51/5271 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

Abstract: 提供一种具有新的Al基合金反射膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，即便使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触，也能够确保低接触抵抗和高反射率，而且，作为与氧化物导电膜的层叠结构时，上层氧化物导电膜表面的功函数高达通用的Ag基合金膜和氧化物导电膜的层叠结构的功函数的同程度。一种形成于基板上的有机EL显示器用的反射阳极电极，前述反射阳极电极包括含有Ag为0.1～6原子％的Al基合金膜，和在所述Al基合金膜之上直接接触的氧化物导电膜的层叠结构。

公开(公告)号：CN1745497A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003063.7

申请日：2004-01-05

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 丸山政克 ,  川上信之 ,  福本吉人 ,  平野贵之

IPC: H01P3/16 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01P3/165 ,  H01P11/006 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供了一种介电线，其具有足够的强度，并适于批量生产，以及提供了一种该介电线的制造方法。该制造方法是一种用于制造介电线的制造方法，该介电线具有介电带和介电层，介电带位于两个大致相互平行的导电板之间，并且介电带具有比导电板窄的宽度，介电层填充在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分，该介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。该介电线(NRD波导)通过下列步骤制成：使用介电原材料在导电板之一上形成薄膜的薄膜成形步骤；将介电原材料的上述薄膜的一部分暴露到预定的光线、光束以及蒸汽下的带暴露步骤，其中该部分具有相应于介电带的形状；以及使得介电原材料整个薄膜多孔的孔成形步骤。