公开(公告)号：CN113632214A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080021722.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  大仓康嗣 ,  中野贵博 ,  水野直仁 ,  竹中正幸 ,  犬塚仁浩

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第2散热部件中的与半导体装置面对的另一面(3b)的外轮廓伸出，第2布线的一端延伸设置至半导体装置中的从另一面的外轮廓伸出的部分，一端经由接合件而与引线框电连接。

公开(公告)号：CN100557819C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200480029528.6

申请日：2004-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  黑柳晃 ,  大仓康嗣 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P-体区41以及N-漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。

公开(公告)号：CN100487916C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580015045.5

申请日：2005-05-11

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。