公开(公告)号：CN111630213A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087282.X

申请日：2018-12-21

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 贵堂高德 ,  长屋正武 ,  鹰羽秀隆

IPC: C30B29/36 ,  B24B7/22 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的单晶4H-SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H-SiC生长用籽晶，生长单晶4H-SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。

公开(公告)号：CN112513348B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。

公开(公告)号：CN114303232A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080055185.X

申请日：2020-08-05

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  金子忠昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于制造SiC衬底的新颖技术，其可以去除应变且实现与进行了CMP的情况相同程度的平坦表面。该技术在包含Si元素和C元素的气氛下对表面的算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下的SiC衬底进行蚀刻。

公开(公告)号：CN112513348A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  东洋炭素株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。