公开(公告)号：CN114303232A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080055185.X

申请日：2020-08-05

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  金子忠昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于制造SiC衬底的新颖技术，其可以去除应变且实现与进行了CMP的情况相同程度的平坦表面。该技术在包含Si元素和C元素的气氛下对表面的算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下的SiC衬底进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113539928B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110389492.8

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐 ,  油井俊树 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。

公开(公告)号：CN113539927A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110389082.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 小岛淳 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。

公开(公告)号：CN112513348A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048251.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社电装 ,  东洋炭素株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 长屋正武 ,  神田贵裕 ,  冈本武志 ,  鸟见聪 ,  野上晓 ,  北畠真

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。