公开(公告)号：CN102479788A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110380839.9

申请日：2011-11-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司 ,  田边广光 ,  都筑幸夫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面。所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)。在所述IGBT区中形成IGBT元件(100)。在所述二极管区中形成二极管元件(20)。第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)位于所述元件区周围的所述第一表面侧上。第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。第二导电类型的第三半导体区(523)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。