公开(公告)号：CN1271724C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03107001.9

申请日：2003-02-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 馬場貴博 ,  坂本孝一 ,  三上重幸 ,  松崎宏泰

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/41725

Abstract: 一种场效应晶体管器件，包括在半导体基片上的有源区域以及设置在有源区域表面上以便确定FET部分的栅极电极、源极电极和漏极电极。确定用于连接栅极的线的电极、确定用于连接源极的线的电极、以及确定用于连接漏极的线的电极设置在半导体基片上。诸电极确定了在输入端用于向FET部分提供信号的槽线和在输出端输出FET部分的信号的槽线。栅极电极具有沿着与通过输入端槽线的信号的传导方向近似垂直的方向延伸的形状。

公开(公告)号：CN1452313A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03123188.8

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 向山和孝 ,  三上重幸 ,  松崎宏泰 ,  河内哲也 ,  马场贵博 ,  坂本孝一

IPC: H03B5/18 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P1/20318 ,  H01P7/10

Abstract: 一种介电谐振器装置包括一片介电衬底。在所述介电衬底的正面和背面分别形成电极薄膜。TE010模谐振器包括两个圆形开口，这两个开口互相面对，并在所述电极薄膜上形成。在电极薄膜上形成的两条相对的槽包括平面介质传送线(PDTL)，该PDTL连接到TE010模谐振器。通过将每条凹槽两侧上的每层电极薄膜的两部分延伸进入每个开口，形成激励段。

公开(公告)号：CN1120540C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN98109277.2

申请日：1998-05-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 园田富哉 ,  平塚敏朗 ,  井田裕 ,  三上重幸 ,  金川洁

IPC: H01P1/208 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/10 ,  H01P1/2084

Abstract: 本发明提供了一种例如在TEO10模的介质谐振器，它用这样的方式在介质板的两个主表面上形成电极，以便防止寄生波在电极与导体板之间空间中传播所造成的影响，从而防止Qo值的降低以及通带外频率范围中衰减特性的劣化。如此选择空腔的内直径，从而当把空腔当作波导时，波导的截止频率高于谐振区的谐振频率，并且空腔的内直径大于非电极部分。