公开(公告)号：CN102918177A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026566.6

申请日：2011-05-12

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  齐藤利幸

IPC: C23C16/27

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C14/022 ,  C23C16/515 ,  C23C18/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/046 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343

Abstract: 本发明涉及一种覆盖部件的制造方法。该覆盖部件的制造方法具备DLC膜形成工序，即，向容纳基材的处理室内导入含有碳系化合物和含氧有机硅系化合物的原料气体，在处理压力100Pa～400Pa的条件下，对基材施加电压，从而使等离子体产生，在基材表面形成DLC膜。作为含氧有机硅系化合物，例如可使用六甲基二硅氧烷。在DLC膜形成工序中，例如对基材施加直流脉冲电压。

公开(公告)号：CN102753725A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009164.5

申请日：2011-04-08

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  山川和芳

IPC: C23C16/27

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/515 ,  C23C28/046 ,  C23C28/048 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 被覆部件19包括基材4、具有粗面化的表面20a且覆盖基材4的第1中间层20、以及覆盖第1中间层20的表面20a的DLC膜22。第1中间层20和DLC膜22是在使基材4的温度被维持在300℃以下的状态下形成的。第1中间层20的表面20a通过离子碰撞而粗面化。

公开(公告)号：CN102373437A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110227869.6

申请日：2011-08-05

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  久保俊哉 ,  桥富弘幸 ,  山本大悟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。