公开(公告)号：CN102373437B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110227869.6

申请日：2011-08-05

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  久保俊哉 ,  桥富弘幸 ,  山本大悟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。

公开(公告)号：CN102373437A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110227869.6

申请日：2011-08-05

Applicant: 株式会社捷太格特 ,  株式会社CNK

Inventor： 安藤淳二 ,  铃木知朗 ,  小川友树 ,  铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  久保俊哉 ,  桥富弘幸 ,  山本大悟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  F16C3/03 ,  F16C2206/04 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种形成在第一轴(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通过如下方式形成：在真空沉积室(30)中产生圆柱形的等离子体(3a)、将原料气体供应到真空沉积室(30)内、以及向作为被覆本体的第一轴(10)施加脉冲电压。将遮蔽轭(11)的夹具(41)附接至作为不形成第一轴(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的轭(11)、且与要形成DLC薄膜(121)的作为被覆部分的花键配合部(12)保持分隔间距，以防止花键配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度减小。