公开(公告)号：CN101424883A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810175137.5

申请日：2003-12-08

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 蛭川茂 ,  马入伸贵 ,  田中一政

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/709 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70716

Abstract: 本发明涉及曝光设备和器件制造法。利用供应机构(72)经透镜(42)一侧的供应喷嘴(36)把液体供应到透镜(42)和晶片(W)之间的空间，利用回收机构(74)经透镜(42)另一侧的回收管(52)回收液体。当同时执行液体的供应和回收时，预定量的液体就保持(随时处于交换状态)在透镜(42)和台上晶片(W)之间。因此，当在这种状态下执行曝光(图案转印到基片上)时，就应用了浸液方法，并且以很高的精度把图案转印到基片上。另外，如果液体从周壁(32g)下沿下面漏出，辅助回收机构(76)就经狭缝(32h3或32h4)回收不能回收的液体。并且通过这种操作，就不会有残留液体留在基片上。

公开(公告)号：CN101278375A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036332.9

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 蛭川茂

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70625

Abstract: 根据既定图案投影像的尖锐特性来预测元件线宽特性(步骤104～110)，再根据所预测的元件线宽特性来调整该图案的曝光条件(步骤112)。并以经调整的曝光条件进行曝光，即利用该图案的投影像进行基板上光刻胶的图案化(步骤114)。由此进行该图案化后基板的显影，于基板上形成满足所期望元件线宽特性的光刻胶图案。因此，以该光刻胶图案作为光掩膜进行基板的刻蚀，即可以所期望线宽形成刻蚀后的图案。

公开(公告)号：CN1723542A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105467.2

申请日：2003-12-08

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 蛭川茂 ,  马入伸贵 ,  田中一政

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/709 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70716

Abstract: 利用供应机构(72)经透镜(42)一侧的供应喷嘴(36)把液体供应到透镜(42)和晶片(W)之间的空间，利用回收机构(74)经透镜(42)另一侧的回收管(52)回收液体。当同时执行液体的供应和回收时，预定量的液体就保持(随时处于交换状态)在透镜(42)和台上晶片(W)之间。因此，当在这种状态下执行曝光(图案转印到基片上)时，就应用了浸液方法，并且以很高的精度把图案转印到基片上。另外，如果液体从周壁(32g)下沿下面漏出，辅助回收机构(76)就经狭缝(32h3或32h4)回收不能回收的液体。并且通过这种操作，就不会有残留液体留在基片上。