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公开(公告)号：CN101103001A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580047016.7
申请日：2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料。此外，本发明提供使用该具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料的发光元件和发光装置。本发明提供由通式(1)表示的咔唑衍生物。通过将本发明的咔唑衍生物涂覆到发光元件或发光装置上，可以实现发光元件或发光装置的较低的驱动电压、提高的发射效率、较长的寿命和增强的可靠性。
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公开(公告)号：CN102290534B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110260503.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C09K11/06 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07C2603/24 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种发光材料，该材料能够耐受反复氧化反应。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有长寿命的发光元件。本发明的一个方面是由通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R2至R4以及R7至R9独立地为氢、具有1至4个碳原子的烷基、以及由以下结构式(2)表示的基团中的任一个，R1、R5、R6和R10独立地为氢以及具有1至4个碳原子的烷基中的任意一个。
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公开(公告)号：CN102522503B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210020340.1
申请日：2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00 , C07D403/12 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D209/88 , C07D403/12 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供发光元件，它耐氧化反应的重复进行。本发明的另一个目的是提供发光元件，它耐还原反应的重复进行。蒽衍生物由通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基，R2表示氢，具有1-4个碳原子的烷基和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，R3表示氢，具有1-4个碳原子的烷基，和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，Ph1表示苯基，和X1表示具有6到15个碳原子的亚芳基。。
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公开(公告)号：CN102157705B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110026712.7
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3209 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5278
Abstract: 本发明涉及复合材料及其发光元件、发光装置和电子装置。本发明涉及一种其中合成了有机化合物和无机化合物的电导率较佳的复合材料、一种在载流子注入特性上优于有机化合物的复合材料以及与金属具有低电阻的复合材料。此外，通过将所述复合材料应用于电流激励型发光元件，本发明提供一种在低驱动电压下工作的发光元件，并通过制造一种使用所述发光元件的发光装置来提供一种功率消耗低的发光装置。本发明提供了一种包括金属氧化物和有机化合物的复合材料，所述有机化合物在室温下相对于二甲基甲酰胺(DMF)中的二茂络铁的氧化-还原电势具有从0V至1.5V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势，优选在0.1V至1.0V范围内(相对于Fc/Fc+)。
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公开(公告)号：CN102522503A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210020340.1
申请日：2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00 , C07D403/12 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D209/88 , C07D403/12 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供发光元件，它耐氧化反应的重复进行。本发明的另一个目的是提供发光元件，它耐还原反应的重复进行。蒽衍生物由通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基，R2表示氢，具有1-4个碳原子的烷基和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，R3表示氢，具有1-4个碳原子的烷基，和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，Ph1表示苯基，和X1表示具有6到15个碳原子的亚芳基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102290534A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110260503.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C09K11/06 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07C2603/24 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种发光材料，该材料能够耐受反复氧化反应。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。进一步地，本发明的一个目的是提供一种具有长寿命的发光元件。本发明的一个方面是由通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R2至R4以及R7至R9独立地为氢、具有1至4个碳原子的烷基、以及由以下结构式(2)表示的基团中的任一个，R1、R5、R6和R10独立地为氢以及具有1至4个碳原子的烷基中的任意一个。
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公开(公告)号：CN100521283C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580047326.9
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/5012 , H01L51/5052
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够减少由于化合物的氧化和结晶的故障的发光元件。根据本发明的一个方面，发光元件具有第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层和第二层，其中第一层包含蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质。根据本发明的发光器件的一个方面，以上发光元件的任一种作为象素或光源使用。
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公开(公告)号：CN101124202A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200580048536.X
申请日：2005-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D403/10 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供对反复氧化反应有抵抗性的发光物质。本发明的另一个目的是提供对反复还原反应有抵抗性的发光元件。本发明的一个方面是用通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R1表示氢或具有1－4个碳原子的烷基；R2表示氢、具有1－4个碳原子的烷基和具有6－12个碳原子的芳基中的任何一个，其可具有取代基或没有取代基；Ph1表示苯基，其可具有取代基或没有取代基；X1表示具有6－15个碳原子的亚芳基。
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公开(公告)号：CN101090887A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200580045241.7
申请日：2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , H01L51/50 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D209/88 , C07D403/12 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供发光元件，它耐氧化反应的重复进行。本发明的另一个目的是提供发光元件，它耐还原反应的重复进行。蒽衍生物由通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示氢或具有1－4个碳原子的烷基，R2表示氢，具有1－4个碳原子的烷基和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，R3表示氢，具有1－4个碳原子的烷基，和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个，Ph1表示苯基，和X1表示具有6到15个碳原子的亚芳基。
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公开(公告)号：CN1893144A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610101499.0
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3209 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5278
Abstract: 本发明涉及一种其中合成了有机化合物和无机化合物的电导率较佳的复合材料、一种在载流子注入特性上优于有机化合物的复合材料以及与金属具有低电阻的复合材料。此外，通过将所述复合材料应用于电流激励型发光元件，本发明提供一种在低驱动电压下工作的发光元件，并通过制造一种使用所述发光元件的发光装置来提供一种功率消耗低的发光装置。本发明提供了一种包括金属氧化物和有机化合物的复合材料，所述有机化合物在室温下相对于二甲基甲酰胺(DMF)中的二茂络铁的氧化－还原电势具有从0V至1.5V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势，优选在0.1V至1.0V范围内(相对于Fc/Fc+)。
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