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公开(公告)号：CN100592548C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200580047423.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L2251/305 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低驱动电压并且能够将寿命增长为比常规发光元件更长的发光元件。一个特征是包括多个层，该多个层包括在第一与第二电极之间包含发光物质的层，其中该多个层的至少一个层包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质。通过采用该结构，可以实现以上目的。
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公开(公告)号：CN101494276A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910006729.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D209/86
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C07D413/12 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供新的芳香胺化合物、和具有高发光效率的发光元件、发光装置、和电子设备。提供了由通式(1)表示的芳香胺化合物和使用由通式(1)表示的芳香胺化合物形成的发光元件、发光装置、和电子设备。使用由通式(1)表示的芳香胺化合物，发光元件、发光装置、电子设备可具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN101494275A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910006728.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D209/86
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C07D413/12 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供新的芳香胺化合物、和具有高发光效率的发光元件、发光装置、和电子设备。提供了由通式(1)表示的芳香胺化合物和使用由通式(1)表示的芳香胺化合物形成的发光元件、发光装置、和电子设备。使用由通式(1)表示的芳香胺化合物，发光元件、发光装置、电子设备可具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN100415848C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200380103762.4
申请日：2003-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0077 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , C09K2211/183 , H01L51/0089 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种使用了成膜性良好、载流子输送性优良、以固体状态显示发光的材料，并也适于作为主相材料的材料的电致发光元件。在一对电极间具有电致发光层的电致发光元件中，元素周期表第4族金属络合物由于成膜性及载流子输送性优良，并且即使是固体状态也可以获得发光，因此在电致发光层的一部分中使用元素周期表第4族金属络合物形成电致发光元件。而且，元素周期表第4族金属络合物由于与以往的宾相材料相比，发光波长处于长波长侧，因此也可以与红色发光的宾相材料组合，形成发光层。
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公开(公告)号：CN101111948A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047423.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L2251/305 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低驱动电压并且能够将寿命增长为比常规发光元件更长的发光元件。一个特征是包括多个层，该多个层包括在第一与第二电极之间包含发光物质的层，其中该多个层的至少一个层包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质。通过采用该结构，可以实现以上目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101041633A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088175.2
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C07D413/12 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的目的是提供新的芳香胺化合物、和具有高发光效率的发光元件、发光装置、和电子设备。提供了由通式(1)表示的芳香胺化合物和使用由通式(1)表示的芳香胺化合物形成的发光元件、发光装置、和电子设备。使用由通式(1)表示的芳香胺化合物，发光元件、发光装置、电子设备可具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN1732244A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107654.4
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/188 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/5012
Abstract: 本发明的特征在于，即使对于在金属配合物的状态下蒸镀或湿式涂布困难的材料，通过共蒸镀作为金属配合物原料的有机化合物(配体)和金属盐，在衬底上形成配合物，形成含有其金属配合物的膜，使用形成的共蒸镀膜制备电致发光元件。在此，条件是前述有机化合物(配体)具有易放出质子并显示阴离子性(并与金属结合)的官能团、具有用于与金属配位结合的孤对电子的官能团。
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公开(公告)号：CN103396324B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310332965.6
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07D209/88 , C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
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公开(公告)号：CN103641726A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310493061.1
申请日：2006-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07C209/10 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2103/97 , C07C2603/94 , C07C2603/97 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明提供由通式1表示的螺芴衍生物。在该通式中，R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。
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公开(公告)号：CN101432259B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200780015024.2
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/57 , C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
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