公开(公告)号：CN102666745B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080053194.1

申请日：2010-11-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  金圣培 ,  李圣贤 ,  刘炫硕 ,  李升爀

IPC: C09D11/52

CPC classification number: C09D11/52

Abstract: 本发明涉及不形成粒子的导电性油墨组合物及其制造方法，特别是，包含将碳原子数为10-22个的脂肪酸和碳原子数为2-9个的脂肪酸的混合物和氨添加到金属前体水溶液中而得到的金属化合物、胺化合物以及溶剂的本发明的导电性油墨组合物，不形成粒子而能够避免粒子的凝聚，金属含量高而不需要投入另外的纳米粒子，能够用于多种热处理温度的用途。

公开(公告)号：CN102205423B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110081848.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金炳郁 ,  金圣培 ,  李圣贤 ,  刘炫硕

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  C09D11/03 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供金属纳米粒子的制造方法、通过该方法制造的金属纳米粒子以及含有其的金属油墨组合物。本发明所涉及的金属纳米粒子的制造方法包含：(1)将金属前躯体溶解在水中后，调节金属前躯体水溶液的pH至9～11的阶段，和(2)在前述阶段(1)中制造的金属前躯体水溶液中，添加1种以上主链的碳原子数为2～11个的含有羧基的脂肪酸碳氢化合物及1种以上主链的碳原子数为12～26个的含有羧基的脂肪酸碳氢化合物，形成金属-脂肪酸配位化合物的阶段，和(3)使前述阶段(2)中制造的金属-脂肪酸配位化合物分散在极性或非极性有机溶剂及胺中后，在其中添加还原剂使金属还原、析出，获得金属纳米粒子的阶段。

公开(公告)号：CN102205423A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110081848.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金炳郁 ,  金圣培 ,  李圣贤 ,  刘炫硕

IPC: B22F9/24 ,  C09D11/02

Abstract: 本发明提供金属纳米粒子的制造方法、通过该方法制造的金属纳米粒子以及含有其的金属油墨组合物。本发明所涉及的金属纳米粒子的制造方法包含：(1)将金属前躯体溶解在水中后，调节金属前躯体水溶液的pH至9～11的阶段，和(2)在前述阶段(1)中制造的金属前躯体水溶液中，添加1种以上主链的碳原子数为2～11个的含有羧基的脂肪酸碳氢化合物及1种以上主链的碳原子数为12～26个的含有羧基的脂肪酸碳氢化合物，形成金属-脂肪酸配位化合物的阶段，和(3)使前述阶段(2)中制造的金属-脂肪酸配位化合物分散在极性或非极性有机溶剂及胺中后，在其中添加还原剂使金属还原、析出，获得金属纳米粒子的阶段。

公开(公告)号：CN1713077B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510077285.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  金圣培 ,  尹锡壹 ,  张锡唱

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种组合物，该组合物用于去除电路或显示设备的金属布线构图所用的抗蚀剂。本发明组合物含有一种碳酸亚烃酯、并可任选地含有一种叔胺或一种氧化剂。本发明组合物可以高效去除残留在已构图的金属膜上的抗蚀剂，在高温下由蒸发引起的组成变化和化学疲劳小，并且能将已构图的金属膜的腐蚀降到最低。

公开(公告)号：CN101156111A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011131.3

申请日：2006-04-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN101093365A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710123038.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金圣培 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  郑世桓 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。

公开(公告)号：CN101051191A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710090332.3

申请日：2007-04-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴熙珍 ,  金圣培 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  辛成健 ,  郑世桓 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42 ,  B01D29/00

Abstract: 本发明涉及一种在通过过滤装置过滤流体之前除去流体中浮游物的显示装置制造系统。本发明的显示装置制造系统包括：工作腔室，在其内部利用工作流体去除显示面板上工作层中的多余部分；浮游物过滤单元，其接收由工作腔室所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层浮游物；过滤装置，其接收由浮游物过滤单元所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层成分；流体储存槽，其用于储存通过过滤装置滤除工作层成分后的工作流体。