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公开(公告)号：CN102354509A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110326706.3
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号：CN102290071A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110137196.5
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种信息存储介质、该介质的再现方法和记录方法以及再现设备和记录设备。信息存储介质包括第一层和第二层，其中第一层远离光源并且包括烧录区。从所述信息存储介质再现信息的方法包括从所述信息存储介质再现信息的步骤。在所述信息存储介质上记录信息的方法包括在所述信息存储介质上记录信息的步骤。从所述信息存储介质再现信息的设备包括配置来从所述信息存储介质再现信息的再现单元。在所述信息存储介质上记录信息的设备包括配置来在所述信息存储介质上记录信息的记录单元。
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公开(公告)号：CN101923873A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010276267.5
申请日：2007-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/242
CPC classification number: G11B7/2467 , G11B7/00456 , G11B7/246 , G11B7/249 , G11B7/2495 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明公开一种光盘、信息记录方法、和信息再现方法。光盘包括一个或多个记录层，配置为通过具有预定波长的光来记录或再现信息，在记录层上记录或从记录层上再现被配置为通过记录标记和空白而执行，其中使用针对所述光的一个峰值功率和三个不同电平的偏置功率来在记录层上记录信息，以及在一个写脉冲或多个写脉冲结束之后应用三个不同电平的偏置功率之中的中间电平的偏置功率，所述一个写脉冲或多个写脉冲对应于记录标记。所述光盘特征在于存储了用于一个或多个记录层的与峰值功率和中间电平的偏置功率有关的功率相关信息。
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公开(公告)号：CN100458942C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610099180.9
申请日：2006-07-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/10 , G11B7/24 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/247 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 根据一个实施例，一种信息存储介质包含一个具有同心圆形或螺旋形沟槽的基底(10)以及形成于基底(10)上的一层记录膜(12)，其中在预定功率下再现1，000次的信号电平变化率为大于等于0.1%且小于等于1%。
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公开(公告)号：CN101097744A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710122716.9
申请日：2007-07-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B7/24085 , G11B7/263 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种一次写入型信息记录介质和一种盘设备。在具有沟槽和槽岸的透明树脂基片上形成第一记录薄膜、夹层和第二记录薄膜。通过用短波长激光束照射而形成记录标记。通过用短波长激光束照射而形成的记录标记的光反射率高于用短波长激光束照射之前的光反射率。第一记录薄膜具有由三维凹坑记录的第一只读记录标记。第二记录薄膜具有由三维凹坑记录的第二只读记录标记。第一和第二记录薄膜的凹坑的反射率是4.2％至8.4％，或者第二记录薄膜的凹坑宽度大于第一记录薄膜的凹坑宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093696A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112426.6
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号：CN1905019A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103923.5
申请日：2006-07-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/268 , G11B20/00086 , G11B20/00268 , G11B2020/122 , G11B2020/1287 , G11B2220/2537 , G11B2220/2579
Abstract: 根据一个实施例，在由激光束形成记录标记并且激光束形成的记录标记部分的光反射系数高于记录标记形成前的光反射系数的盘形信息存储介质中包括：定位在信息存储介质内圆周并记录了径向管理信息图案的管理信息区域(21)，并且其中径向管理信息图案由未记录部分(22)记录，除了径向管理信息图案以外的管理信息区域的剩余区域是记录部分。
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公开(公告)号：CN1855262A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610072166.X
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/00456 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 根据本发明一个实施例，一种一次写入型信息存储介质包括具有对650nm波长的敏感性的基于有机染料的记录材料。
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公开(公告)号：CN102623026A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210110301.0
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种盘以及用于从盘再现信息的设备和方法，所述盘包括：基片，其具有大约1.1mm的厚度；记录层，其布置在所述基片上方；烧录区，其相对于所述盘的主信息记录区布置在所述盘的内侧；其中所述烧录区被配置为描述类型标识符；其中所述烧录区被配置为描述版本号；其中所述烧录区被配置为描述R信息，所述R信息指示可记录，由一个或多个字节编号指示的一个或多个字节位置被定义，并且所述R信息的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置；以及其中所述烧录区被配置为描述对记录在所述记录层上的标记的极性进行指示的标记极性标志，并且所述标记极性标志的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置。
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公开(公告)号：CN102394080A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110326514.2
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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