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公开(公告)号：CN103937501A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410140932.6
申请日：2011-11-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种荧光物质和使用其的光发射器件。特别地，本实施方案提供了一种具有高量子效率的绿光发射荧光物质以及包含该物质从而较少发生色差的光发射器件。该荧光物质总体上由(Sr1-xEux)3-yAl3+zSi13-zO2+uN21-w表示并且是一类Sr3Al3Si13O2N21磷光体。该物质其给出这样的X射线衍射图谱，该X射线衍射图谱在15.2-15.5°的2θ处具有衍射峰，并且其半峰宽为0.14°或更小。此外，该物质在250-500nm的光激励下发射具有490-580nm内的峰值的发光。由本实施方案提供的光发射器件包含该物质且兼具有光发射元件以及红光发射荧光物质。
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公开(公告)号：CN102403429B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110051219.0
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光装置。实施方式的发光装置具备：发出波长380nm～470nm的光的发光元件；在该发光元件上配置的CASN系第一红色荧光体；在该发光元件上配置的塞隆系第二红色荧光体；和在该发光元件上配置的塞隆系绿色荧光体。
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公开(公告)号：CN102399557B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110266293.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种红光发射荧光物质及使用其的光发射器件。特别地，本发明的实施方案提供了由下式(1)所表征的红光发射荧光物质：(M1-xECx)aM1bAlOcNd？？？？？？(1)。在式(1)中，M是选自IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、IIIB族元素、稀土元素和IVA族元素的元素；EC是选自Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi和Fe的元素；M1不同于M并且选自四价元素；并且x、a、b、c和d分别满足条件：0＜x＜0.2、0.55＜a＜0.80、2.10＜b＜3.90、0＜c≤0.25和4＜d＜5。当由在250-500nm波长范围内的光激励时，该物质发射在620-670nm波长范围内具有峰值的光。
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公开(公告)号：CN102676169A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110360288.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种荧光物质和使用其的光发射器件。特别地，本实施方案提供了一种具有高量子效率的绿光发射荧光物质以及包含该物质从而较少发生色差的光发射器件。该荧光物质总体上由(Sr1-xEux)3-yAl3+zSi13-zO2+uN21-w表示并且是一类Sr3Al3Si13O2N21磷光体。该物质其给出这样的X射线衍射图谱，该X射线衍射图谱在15.2-15.5°的2θ处具有衍射峰，并且其半峰宽为0.14°或更小。此外，该物质在250-500nm的光激励下发射具有490-580nm内的峰值的发光。由本实施方案提供的光发射器件包含该物质且兼具有光发射元件以及红光发射荧光物质。
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公开(公告)号：CN102403438A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110050912.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7728 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光装置，具有：基板；安装于基板p主面的发光元件；红色荧光体层，是在发光元件上形成的半径为r的半圆状且含有式(1)的红色荧光体：(M1-x1Eux1)aSibAlOcNd(1)(M是从IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、除Al外的IIIB族元素、稀土族元素及IVB族元素选取的元素，x1、a、b、c、d满足以下关系：0＜x1≤1、0.60＜a＜0.95、2.0＜b＜3.9、0.04≤c≤0.6、4＜d＜5.7)；透明树脂的中间层，形成于红色荧光体层上且是半径为D的半圆状；和绿色荧光体层，形成于中间层上且是半圆状并含有绿色荧光体，半径r和半径D的关系满足式(2)：2.0r(μm)≤D≤(r+1000)(μm)(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102399556A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110257857.8
申请日：2011-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , Y10T428/2982 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种荧光物质和使用其的发光器件。根据本实施方案的荧光物质总体上由(M1-xECx)aSibAlOcNd表示并且是一类Sr2Si7Al3ON13磷光体。该物质的形式为具有20-100μm平均晶粒尺寸和2-4纵横比的晶体。该物质在250-500nm波长范围的光激励下发射的发光具有580-660nm波长范围内的峰值。本实施方案还提供了一种发光器件，该发光器件包含该物质且兼具有发光元件以及绿光发射荧光物质。
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公开(公告)号：CN102382647A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110111524.4
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K11/79
CPC classification number: C09K11/7728 , C01B21/0821 , C01B21/0826 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C09K11/7734
Abstract: 本实施方案提供了一种生产氧氮化物荧光物质的方法。在该方法中，使式(Sr，Eu)2Si5N8所示化合物，氮化硅和氮化铝混合，然后在高压下在氮气氛围中焙烧。
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公开(公告)号：CN105441072A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510589653.2
申请日：2015-09-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7721 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方案是提供具有有利的温度特性的荧光体，所述荧光体可发射具有宽的半宽发射谱的黄光，并且具有高量子效率。当用在250nm到500nm的波长范围中具有发光峰的光激发时，所述荧光体发射黄光，并且具有与Sr2Al3Si7ON13的晶体结构基本上相同的晶体结构。在根据使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法的所述荧光体的X射线衍射中检测的在35.2°到35.6°的范围中的衍射峰位置2θ处的峰的半宽是0.10°或更小。
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公开(公告)号：CN103484119B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310232260.7
申请日：2013-06-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7728 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光材料。根据一个实施方式，当用在250-500nm波长范围内具有发射峰的光激发时，该发光材料在490-580nm的波长范围内显示发光峰。在通过使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法测定的X-射线衍射中，该发光材料具有在2θ=30.1～31.1°检测到的最大峰的衍射峰强度，其高于在2θ=25.0～26.0°检测到的峰的衍射峰强度，且该发光材料的组成由(Sr1-xEux)3-yAl3+zSi13-zO2+uN21-w表示(Sr的一部分可被选自Ba、Ca、Mg和Na的至少一种取代，0
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公开(公告)号：CN104164231A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410060021.2
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/502 , C04B35/597 , C04B35/6268 , C04B2235/3217 , C04B2235/3229 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/444 , C04B2235/5296 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为磷光体。根据一实施方案，在用发射峰在250-500nm波长范围内的光激发时，磷光体显示发光峰波长为500-600nm。该磷光体具有如(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw所示的组成（M表示Sr，部分Sr可用选自Ba、Ca和Mg的至少之一取代；x、y、z、u和w满足下述条件0
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