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公开(公告)号：CN100458942C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610099180.9
申请日：2006-07-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/10 , G11B7/24 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/247 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 根据一个实施例，一种信息存储介质包含一个具有同心圆形或螺旋形沟槽的基底(10)以及形成于基底(10)上的一层记录膜(12)，其中在预定功率下再现1，000次的信号电平变化率为大于等于0.1%且小于等于1%。
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公开(公告)号：CN100458941C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510065179.X
申请日：2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259
Abstract: 本发明公开了一种一次性写入式信息记录介质(28)，包括具有在其中形成的同心或螺旋凹槽的透明基材(20)；和在透明基材的凹槽上形成的记录膜(24)，其中记录凹槽有一个阴离子部分和一个阳离子部分，由一种有机颜料形成，该有机颜料的从要发射到记录膜的短波长激光的波长的最大吸收波长区域存在于较长波长侧，记录标记在记录膜上通过用短波长激光照射而形成，和记录标记的光反射系数高于在用短波激光照射之前的记录膜的光反射系数。因此，这种一次性写入式信息记录介质(28)具有所谓的低到高的特性，即，记录后的反射系数高于记录前的反射系数。
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公开(公告)号：CN101097744A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710122716.9
申请日：2007-07-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B7/24085 , G11B7/263 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种一次写入型信息记录介质和一种盘设备。在具有沟槽和槽岸的透明树脂基片上形成第一记录薄膜、夹层和第二记录薄膜。通过用短波长激光束照射而形成记录标记。通过用短波长激光束照射而形成的记录标记的光反射率高于用短波长激光束照射之前的光反射率。第一记录薄膜具有由三维凹坑记录的第一只读记录标记。第二记录薄膜具有由三维凹坑记录的第二只读记录标记。第一和第二记录薄膜的凹坑的反射率是4.2％至8.4％，或者第二记录薄膜的凹坑宽度大于第一记录薄膜的凹坑宽度。
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公开(公告)号：CN101093696A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112426.6
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号：CN1905019A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103923.5
申请日：2006-07-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/268 , G11B20/00086 , G11B20/00268 , G11B2020/122 , G11B2020/1287 , G11B2220/2537 , G11B2220/2579
Abstract: 根据一个实施例，在由激光束形成记录标记并且激光束形成的记录标记部分的光反射系数高于记录标记形成前的光反射系数的盘形信息存储介质中包括：定位在信息存储介质内圆周并记录了径向管理信息图案的管理信息区域(21)，并且其中径向管理信息图案由未记录部分(22)记录，除了径向管理信息图案以外的管理信息区域的剩余区域是记录部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855262A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610072166.X
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/00456 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 根据本发明一个实施例，一种一次写入型信息存储介质包括具有对650nm波长的敏感性的基于有机染料的记录材料。
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公开(公告)号：CN102623026A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210110301.0
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种盘以及用于从盘再现信息的设备和方法，所述盘包括：基片，其具有大约1.1mm的厚度；记录层，其布置在所述基片上方；烧录区，其相对于所述盘的主信息记录区布置在所述盘的内侧；其中所述烧录区被配置为描述类型标识符；其中所述烧录区被配置为描述版本号；其中所述烧录区被配置为描述R信息，所述R信息指示可记录，由一个或多个字节编号指示的一个或多个字节位置被定义，并且所述R信息的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置；以及其中所述烧录区被配置为描述对记录在所述记录层上的标记的极性进行指示的标记极性标志，并且所述标记极性标志的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置。
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公开(公告)号：CN102394080A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110326514.2
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号：CN102360551A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110326412.0
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号：CN102360550A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110326388.0
申请日：2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3，4)的单面多层光盘(101)中，距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20％(含)至50％(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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