公开(公告)号：CN102782847B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180011998.X

申请日：2011-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤井章辅 ,  松下大介 ,  三谷祐一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145

Abstract: 根据一个实施例，一种电阻变化器件包括：包含金属的第一电极；第二电极；以及在所述第一和第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在从所述第一电极到所述第二电极的方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。

公开(公告)号：CN102473682A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160141.7

申请日：2009-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大场竜二 ,  松下大介

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明一种非易失性半导体存储器，具备：第1栅极绝缘膜，形成于半导体基板的沟道区域上；第1微粒层，形成于第1栅极绝缘膜中，包含满足库仑阻塞条件的第1导电性微粒；电荷积蓄部，形成于第1栅极绝缘膜上；第2栅极绝缘膜，形成于电荷积蓄部上；第2微粒层，形成于第2栅极绝缘膜中，包含平均粒径与第1导电性微粒不同、且满足库仑阻塞条件的第2导电性微粒；以及栅电极，形成于第2栅极绝缘膜上。