公开(公告)号：CN113345961B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN117673152A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310153804.4

申请日：2023-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林勇介 ,  井口智明 ,  雁木比吕 ,  马场祥太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40

Abstract: 提供能够得到稳定的特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第一～第四电极、半导体构件、第一导电构件、第二导电构件以及绝缘构件。所述半导体构件包括第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包括第一外缘区域、第一部分区域、第二部分区域、第三部分区域以及第四部分区域。所述第二部分区域的电阻率高于所述第一部分区域的电阻率。

公开(公告)号：CN115411094A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210137348.X

申请日：2022-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 雁木比吕 ,  田口安则 ,  井口智明 ,  小林勇介 ,  根本宏树

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。

公开(公告)号：CN113540242A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110052353.6

申请日：2021-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 雁木比吕 ,  小林勇介 ,  井口智明 ,  坂野竜则

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。