公开(公告)号：CN103311095A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560783.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。

公开(公告)号：CN103165787A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210535484.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  布上真也

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。