-
公开(公告)号:CN1823426A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200480020580.5
申请日:2004-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/3244 , H01L51/0048 , H01L51/0595
Abstract: 本发明提供一种场效应型晶体管,其具有载流子从源区域注入向漏区域移动的半导体层,上述半导体层由含有有机半导体材料和纳米管的复合材料形成。上述纳米管可以是多个纳米管连接形成的纳米管。
-
公开(公告)号:CN102077689B
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201080001855.6
申请日:2010-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3246 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H05B33/145
Abstract: 在有机EL元件(100a~100c)的各元件中,在基板(101)上依次层叠形成有阳极(102)、包含电荷注入输送层(103)和有机发光层(105)的功能层、阴极(107),有机发光层(105)的形状由堤(104)规定。在这里,空穴注入输送层(103)为将由金属层构成的阳极(102)的表面氧化而成的金属氧化物层。另外,空穴注入输送层(103)形成为由堤(104)规定的区域下沉的凹入结构(凹部结构(103a)),凹部结构(103a)的凹部边缘(103c)由堤(104)的一部分(被覆部(104d))被覆。
-
公开(公告)号:CN103053041A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201080068393.X
申请日:2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低对所述缓冲层(6A)的空穴注入势垒。在空穴注入层(3)的上面形成凹部(4a),使该凹部的内面与功能层(缓冲层(6A)或发光层(6B))接触。
-
公开(公告)号:CN102440071A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201080020694.5
申请日:2010-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H05B33/10
Abstract: 在基底层上形成中间层之后,在所述中间层上形成具有感光性树脂材料的树脂材料层。然后,将所述树脂材料层选择性曝光后,使用溶解所述树脂材料层以及所述中间层这二者的显影液进行显影处理。由此,(a)除去所述树脂材料层的非固化部分而形成贯穿所述树脂材料层通到所述中间层的开口,(b)使所述显影液的一部分通过所述开口浸入到所述中间层侧,将所述中间层中的与所述开口对应的第1区域及作为其周边的第2区域的至少表面部除去。通过由加热使所述树脂材料层的相当于所述第2区域的悬空部分软化而垂向下方,从而覆盖在所述空间露出的所述中间层的端部,并填埋所述树脂材料层下方的空间。由此,使所述悬空部分与所述基底层或所述中间层上接触而形成由所述树脂材料层构成的隔壁。
-
公开(公告)号:CN102405539A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201080001801.X
申请日:2010-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 竹内孝之
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H05B33/12
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示面板,本发明的有机电致发光显示面板(1)在薄膜晶体管层(11)上具备按像素单位形成有接触孔的层间绝缘膜(13)、形成在所述层间绝缘膜上且通过接触孔(14)与薄膜晶体管层(11)的供电电极(12)导通的第一电极(15)、具有将接触孔(14)包括于开口区域内的开口部的堤(16(16a、16b))、形成在开口部的发光层(17a、17b)、以及形成在发光层(17a、17b)的上方的第二电极(18),形成在接触孔(14)及其上方(接触孔区域)的发光层(17a、17b)合起来的膜厚比形成在接触孔区域以外的区域的有机发光层的膜厚形成得厚。由此,能够将接触孔配置在堤开口部内而使开口率提高,能够不会引起电场集中而防止短寿命化。
-
公开(公告)号:CN102388673A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201080009421.0
申请日:2010-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 竹内孝之
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3246 , H01L51/0005
Abstract: 本发明提供通过喷墨方式形成均一膜厚的层,能够抑制发光斑块而期待优异的图像显示性能的有机EL显示面板及其制造方法。此外,提供能够防止喷墨头的墨液堵塞,以良好的生产效率制造有机EL显示面板的有机EL显示面板的制造方法。具体而言,在有机EL显示面板100中,在列(Y)方向相邻的开口部13之间的堤7的上表面形成凹陷部8。在发光层9形成时,基于喷墨方式,向开口部13以及凹陷部8滴下墨液。在开口部13和凹陷部8蒸发溶媒,实现沿着Y方向的有机材料中的溶媒蒸气浓度的均一化,使膜厚均一。另外,通过向凹陷部8排出墨液,防止喷墨头的喷嘴堵塞,实现生产效率的提高。
-
公开(公告)号:CN101461047B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200780020883.0
申请日:2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
-
公开(公告)号:CN101461047A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200780020883.0
申请日:2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
-
公开(公告)号:CN1879223A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200480033200.1
申请日:2004-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的薄膜晶体管(100)具有半导体层(14)和在上述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域(15)和漏极区域(16),上述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分,将上述π共轭类有机半导体分子取向,使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在上述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。
-
公开(公告)号:CN1823427A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200480020581.X
申请日:2004-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的薄膜晶体管,是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100),所述半导体层由复合材料构成,所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-