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公开(公告)号：CN102471868A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080027832.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C01B33/02 , C23C14/14
Abstract: 本发明提供一种薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料。以在基板(21)上形成薄膜的方式，使从蒸发源(9)飞来的粒子以真空中的规定成膜位置(33)在基板(21)上堆积。在使含有薄膜的原料的棒状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔解的同时，将熔解的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为棒状材料(32)，使用棒状硅材料，所述棒状硅材料，从垂直于材料(32)的长轴方向的截面的中心向外周部，在长度90％的位置上存在多个分别被晶界包围的第一区域，多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且从中心向外周部，在长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm。
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公开(公告)号：CN101821422B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101849033B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN102131599A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132604.9
申请日：2009-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以反复使用和在凝固时膨胀的铸棒的制造效率和成品率提高的铸棒形成用铸模、使用该铸模的铸造装置以及用于高效率地制造上述铸棒的铸棒制造方法。作为铸棒形成用的铸模(10)，使用下述铸模，该铸模具备模块组件(12)和紧固单元(18～21)，该模块组件(12)并列排列有多个模块(14)，具有多个沿纵向(16)延伸的型腔(26)，该紧固单元(18～21)在与纵向(16)正交的方向紧固模块组件(12)。在该铸模10中，多个模块(14)分别具有1处以上的形成型腔(26)的周面的一部分的型腔形成部(28)，型腔(26)通过2个以上的模块(14)的组合来形成，多个模块(14)中的至少一个模块具有2处以上的型腔形成部(28)。
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公开(公告)号：CN102084022A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125968.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。
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公开(公告)号：CN101946021A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101821422A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
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