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公开(公告)号:CN106586945A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201710014468.X
申请日:2017-01-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/03 , B81B2203/06
Abstract: 本发明公开了一种低驱动电压的微型冲击锤。本发明中的微型冲击锤由六部分组成:一个圆柱形的冲击器、储存能量的梁、减速齿轮组、锁定机构、微曲柄滑块机构和梳状驱动器。其中梁与弹簧体用于存储能量,相对于单一锁定结构,加入减速齿轮组,大齿轮与小齿轮相嵌合,小齿轮带动大齿轮,小齿轮分度圆半径为r,大齿轮分度圆半径为R,则小齿轮驱动力为大齿轮阻力的r/R。同时多级齿轮组作用下能大大减少小齿轮的驱动力。本发明通过静电力的作用,使梳状微驱动器产生水平横向位移,通过微型曲柄滑块结构将水平横向位移转化为圆周运动来驱动齿轮组进行运转,带动冲击器垂体存储和释放能量,大大减小了驱动力,从而实现小电压驱动下能量的存储与释放。
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公开(公告)号:CN103964369A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410150582.1
申请日:2014-04-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种电极横向可动的微机械圆盘谐振器。其中振动圆盘由底面锚支撑,并在圆盘上方设置偏置电压焊点。输入输出电极上方分别引入交流电压焊点和交流电流焊点。输入输出电极另一端连接一个矩形电极杆,并连接到由点状支承固定的矩形弹性臂。矩形弹性臂和点状支承之间由电极臂连接。矩形弹性臂和电极臂表面设置电绝缘层二氧化硅,并在上方铺上金属导线。采用外部金丝球焊技术用金线将金属导线两端的驱动电流焊点连接到封装管壳引脚上,并接入恒流源。本发明通过安培力的作用,使电极产生固定的横向移动,优化了电极结构。通过横向可动电极,弥补了工艺误差导致的两端电极间隙不匹配,从而降低运动电阻,提高谐振器性能。
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公开(公告)号:CN101792108B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201010125444.X
申请日:2010-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种基于滑膜阻尼的大电容微惯性传感器及其制作方法。现有的传感器的噪声大、稳定性差,量程和带宽小。本发明的传感器中敏感器质量块的两侧边对称设置有硅条组,敏感器质量块两端设置有敏感器锚点,敏感器质量块内有栅形电极;驱动器质量块对应硅条组设置;敏感器质量块下方的第一基板上设置固定对电极。制作该传感器的方法首先是在第一基板上形成固定对电极;其次在第二基板上表面形成电绝缘层,下表面形成悬浮区;然后键合两个基板;最后刻蚀形成该传感器。本发明中的微惯性传感器结构新颖,分辨率和灵敏度高,制作工艺简单,有利于降低成本和提高成品率。
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公开(公告)号:CN102202349A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201110129032.8
申请日:2011-05-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于自适应最优消零的无线传感器网络数据压缩方法。现有无线传感器网络中的数据往往存在着大量的冗余信息,这将浪费通信带宽、增加网络延时和节点能耗无法。本发明引入一种无损的自适应最优消零算法,通过自适应地寻找最优位数因子对递增排列的感知据序列进行消零运算和编码,使得感知数据序列的最终编码长度最短,充分挖掘传感器节点采集数据之间的相关性,最大程度地去除冗余信息,从而降低节点的平均能耗,延长传感器网络的寿命。本发明方法降低了网络中需要传输的数据量,从而降低了节点平均能耗,减小了网络延时。
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公开(公告)号:CN102142617A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201110024228.0
申请日:2011-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于高阶腔体谐振模式的高增益集成天线。传统天线的背腔由光滑的金属腔体构成,体积大加工成本高。本发明包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的上金属层和涂覆在介质基片下表面的下金属层。多个贯穿上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成电互连阵列;上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体,馈电单元伸入腔体内;在腔体内部区域内贯穿上金属层、介质基片和下金属层的多个电互连单元组构成的多个调谐电互连组;在腔体区域内部的上金属层的开设的多条相互平行的辐射缝隙。本发明极大地减小了背腔天线的体积,制作成本显著降低,并可与平面电路实现无缝集成。
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公开(公告)号:CN119972669A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510220460.3
申请日:2025-02-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于阻垢、除垢技术领域,具体是一种基于三维亥姆霍兹线圈的电磁去污装置,包括正弦波驱动电路、管道以及套设在管道外侧中心处的三维亥姆霍兹线圈,正弦波驱动电路与三维亥姆霍兹线圈相连,用于改变通过三维亥姆霍兹线圈X、Y、Z三个方向的驱动电流大小,使得三维亥姆霍兹线圈产生全局匀强且大小方向可控的三维空间磁场。三维空间磁场全面覆盖线圈范围内的流体,对大团水分子产生形变、振动作用,造成氢键的弯曲和断裂,促进大团水分子解离成为具有高活性的小分子,增强水对碳酸钙等垢成分物质的溶解能力;同时,成垢组分离子会形成新的被活性水分子包裹的晶核,降低了形成大粒子的可能性,减少壁面上的直接结垢。
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公开(公告)号:CN119543973A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411692844.7
申请日:2024-11-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CMUT传感器的收发一体检测系统,包括:为CMUT传感器提供偏置电压的直流偏置电压供给模块;提供电源的系统电源供给模块;生成上位机数据的PC上位机端;传输上位机数据的数据通信模块;接收上位机数据并处理分配的FPGA选通信号控制模块;根据选通信号选择开启对应的n路高压脉冲激励信号的高压脉冲电路生成模块;扩展n路高压脉冲激励信号至2n路的时分复用电路模块;匹配具体换能器的LC阻抗匹配模块;二级放大的回波信号放大模块;二级放大后的回波数据进行量化的模数转换模块。本发明实现可以实现阵列CMUT传感器的多通道同步驱动,并抑制不同通道间的相互串扰和抑制不同路径长短导致的延迟。
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公开(公告)号:CN119063883A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411007352.X
申请日:2024-07-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种基于倾斜长方体结构的双电容式柔性触觉传感器,其连接块正面的轴线的左半部分分布若干第一微圆柱形孔,右侧面分布若干第二微圆柱形孔;第一介电层由若干等间距平行排列的斜长方体构成的第一倾斜介质与连接于第一倾斜介质底部的第一介质薄膜组成,且第一倾斜介质纵向倾斜;第二介电层由若干等间距平行排列的斜长方体构成的第二倾斜介质与连接于第二倾斜介质底部的第二介质薄膜组成,且第二倾斜介质横向倾斜,第一上极板、第一介电层和第一下极板组成第一电容器,第二上极板、第二介电层和第二下极板组成第二电容器。本发明通过较少数量的电容单元实现对三维微小力的检测,并且具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号:CN115321474B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202211096126.4
申请日:2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI硅片的硅纳米线陀螺仪的制备方法,选取SOI硅片,在其顶层硅表面制备氮化硅薄膜,形成介质掩膜层;在介质掩膜层形成三个三角形图案,并刻蚀图案处的氮化硅形成三个三角形窗口;之后对三角形窗口处的硅进行干法刻蚀,制得三个深度一致的竖直三角形槽;刻蚀竖直三角形槽下的氧化层,接着再刻蚀底层硅;对竖直三角形槽进行各向异性湿法腐蚀,形成六边形腐蚀槽,且相邻的六边形腐蚀槽之间形成单晶硅薄壁结构,三个六边形腐蚀槽中间出现两个相对的锥体结构;100晶向的底层硅出现腐蚀槽将顶层硅上的相连的锥体结构释放构成质量块,得到氮化硅薄膜和三根硅纳米线共同支撑质量块。本发明的硅纳米线陀螺仪的灵敏度更高。
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公开(公告)号:CN117842928A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410048449.9
申请日:2024-01-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法,包括以下步骤:采用MEMS工艺,制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉传感器以及上层封装结构;在该封装设计中,压阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结构,将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和玻璃基板中间;将压阻式触觉传感器上表面倒装于带通孔的玻璃基板上表面,完成对压阻式触觉传感器上表面封装;将压阻式触觉传感器下表面与设计出的上层封装结构对准键合,完成对压阻式触觉传感器下表面封装;经过上述封装设计步骤,提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏度和线性度,并且实现了对阵列的MEMS压阻式触觉传感器防护。
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