-
公开(公告)号：CN114540956A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111641662.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属钨箔为钨源，金属铌箔为铌源，生长衬底倒扣在金属钨箔上，金属铌箔面积小于金属钨箔面积，生长衬底一端直接与金属钨箔接触，另一端在铌源的正上方，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料。所得的单层铌掺杂硫化钨晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄高效场效应晶体管领域。
-
公开(公告)号：CN113913940A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111226096.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。
-
公开(公告)号：CN113879647A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111203174.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器生产加工技术领域，具体为一种传感器贴标设备。一种传感器贴标设备，包括底座，所述底座右侧顶壁上固定连接有固定块，传感器输送装置能够依次将传感器取出，并配合后续机构完成对传感器的贴标遮盖，一改传统输送装置不便逐一输送的问题；孔位确定装置能够使总体呈圆形的传感器持续转动，且对其上的螺丝孔位进行判断后向上摆正，进而保证在后续贴标过程中能够将标签正对孔位进行贴放，从而实现传感器整体美观、和谐的问题，一改传统贴标设备贴标位置随意，人工贴标效率低成本高的问题；辅助装置能够在孔位确定装置完成对传感器的正确摆位后进行贴标与下料，进而保证设备的循环持续工作。
-
公开(公告)号：CN110484255B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910484300.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明公开了一种能够用于温度测量的荧光材料及其制备方法。该荧光材料具有如下化学式：Sr2La1‑x‑yP3MO13：xCe3+,yTb3+，其中，x为0.001～0.1，y为0.05～0.5，M为Si或Ge。制备时，按化学式Sr2La1‑x‑yP3MO13：xCe3+,yTb3+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为锶的无机盐、氧化镧、含M的氧化物、含[PO4]3‑的化合物、氧化铈和氧化铽，其中，x为0.001～0.1，y为0.05～0.5；将所述原料的均匀混合物于还原气氛下高温烧结后缓慢冷却到室温，得到本发明荧光材料。本发明荧光材料在紫外激发条件下，可同时探测到源自Ce3+紫外光和Tb3+绿光的双模发射。随着温度升高，Ce3+/Tb3+荧光强度比可作为测温参数，相对温度灵敏度最高可达0.77％·K‑1。
-
公开(公告)号：CN110565052A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910765723.3
申请日：2019-08-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法。所述硫化钨基垂直异质结构的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，磁控溅射的Mo/W薄膜为Mo、W源，与硫蒸气反应，在Mo/W薄膜附近三个不同区域制备得到WS2基垂直异质结构，即WS2/MoS2、WS2/MoS2-Mo0.42W0.58S2、WS2/Mo1-xWxS2(0≤x≤0.75)。所得WS2基垂直异质结构的形貌为两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用磁控溅射的Mo/W超薄薄膜作为Mo、W源，通过Mo、W源蒸发温度的差异和有效蒸发面积的不同，以及随时间和距离变化的Mo、W源的浓度分布，成功实现二维WS2基垂直异质结构的组分调变。所述WS2基垂直异质结构具有可调的发射光波长，在光探测器件中有潜在的应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109336180A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201810980856.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明公开一种超长氧化钼纳米带生长方法，具体是使用气相沉积方法制备超长MoO3纳米带，通过将MoS2放入含有氧气的管式炉中，并加热和通氮气载气，让蒸发的MoS2与管内残余氧气反应，在管壁和硅片上生成MoO3纳米带，纳米带长度可达1～2cm，使用肉眼即可观察纳米带形貌。本发明使用的方法，操作简单，成本低，制备周期短，可重复性强，可行性强，制备纯度高，生长效果好的优点。
-
公开(公告)号：CN109021972A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810553034.1
申请日：2018-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/67
CPC classification number: C09K11/774
Abstract: 本发明公开了一种白光LED用硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法。该荧光粉的化学表示式为Na3‑2xMMg(BO3)3：xEu2+，其中，x为0.001～0.1，M为Zr或Hf。制备时，按化学式Na3‑2xMMg(BO3)3：xEu2+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为钠的无机盐、含M的氧化物、镁的无机盐、硼酸和氧化铕，其中，x＝0.001～0.1；将所述原料的均匀混合物在还原气氛下于高温炉内高温烧结后缓慢冷却到室温，得到硼酸盐蓝色荧光粉。本发明所得蓝色荧光粉的发射峰值位于470nm附近，分散性好、颗粒度均匀、化学稳定性好和发光效率高，其激发带覆盖紫外和紫光区域，能作为白光LED用蓝色荧光粉，并且，原料价廉、易得、制备温度低。
-
公开(公告)号：CN106044855B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201610357102.8
申请日：2016-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 苏伟涛
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开一种制备单层MoS2的新方法，具体是通过催化法提高单层MoS2尺寸和实验的重复性。本发明使用含碳催化剂溶液对SiO2/Si衬底进行处理，然后利用CVD的方法来制备出单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜以及扫描电镜等对样品的光学性质以及表面形貌进行了测试分析。本发明方法通过催化法制备单层MoS2，将单层MoS2的尺寸提高到了几十微米，质量很好，而且提高了实验的重复性。本发明方法相比较现有技术，不仅制备出了大尺寸单层MoS2，并且提高了实验的重复性，实验操作起来简单，可行性强，制备周期短，成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN106044855A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610357102.8
申请日：2016-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 苏伟涛
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/61
Abstract: 本发明公开一种制备单层MoS2的新方法，具体是通过催化法提高单层MoS2尺寸和实验的重复性。本发明使用含碳催化剂溶液对SiO2/Si衬底进行处理，然后利用CVD的方法来制备出单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜以及扫描电镜等对样品的光学性质以及表面形貌进行了测试分析。本发明方法通过催化法制备单层MoS2，将单层MoS2的尺寸提高到了几十微米，质量很好，而且提高了实验的重复性。本发明方法相比较现有技术，不仅制备出了大尺寸单层MoS2，并且提高了实验的重复性，实验操作起来简单，可行性强，制备周期短，成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN102383017B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110354855.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法。本发明的磁性材料化学通式为：Eu-T-X，T为Fe或Cu，X为P或As，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属铕、过渡金属和非金属按比例混合成原料，其中过渡金属为Fe或Cu，非金属为P或As；然后将原料置于石英容器内，抽真空后封闭，将石英容器升温至400～450℃后保温，继续升温至800～900℃后保温；冷却后将制品压片成型，经高温退火、冷却得到成品。本发明方法采用缓慢升温、分步反应的方法，有效地克服了P或As的挥发。本发明方法相对工艺简单，易于实现，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.026 seconds)
