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公开(公告)号：CN119865081A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510016651.8
申请日：2025-01-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种三电平飞跨电容降压变换器的单传感器模拟控制方法，包括以下步骤：分析三电平飞跨电容降压变换器电路正常运行时各开关器件的通断逻辑，并且以第一开关器件和第二开关器件构成的坐标序列(Q1,Q2)为准描述电路工作状态；以其中一个工作模态点(1,0)为例分析飞跨电容电压平衡对电路正常运行及器件均压的影响；接着提出一种单传感器模拟控制方法控制三电平飞跨电容降压变换器；然后研究该技术运用于三电平飞跨电容降压变换器的静态稳定特性；针对一定范围内产生次谐波振荡的情况，采用斜坡补偿的方式消除次谐波振荡，以及验证当次谐波振荡消除的同时飞跨电容电压自然平衡的特性；将补偿斜坡策略运用到模拟控制电路。
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公开(公告)号：CN118886390A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410727757.4
申请日：2024-06-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法，应用于GaN HEMT器件作为上管和下管的双脉冲测试电路，包括以下步骤：进行建模假设；基于建模假设，对双脉冲测试电路进行等效化简，得到GaN HEMT器件续流过程等效电路；在续流过程等效电路的基础上继续建立GaN HEMT器件自激振荡电路模型；由于振荡是回路寄生电感与器件寄生电容谐振引起，根据Barkhausen准则推导出该系统的振荡发生条件，当Re{H(ω1)}>1或者Re{H(ω2)}>1时发生自激振荡，通过推导化简得到边界条件即自激振荡的必要条件为：Lp(Cds+Coss)>LgCgs+gmCgdRgLg，同样，不发生自激振荡的条件为：Lp(Cds+Coss)￡LgCgs+gmCgdRgLg。
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公开(公告)号：CN111064371B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201911363275.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 杭州电子科技大学 , 安徽乐图电子科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种混合五电平双向DC/DC变流器及其电压匹配调制方法，其中变流器包括第一输入滤波电容Cinp和第二输入滤波电容Cinn、输出滤波电容Co、直流电压源、原边混合五电平单元、原边两电平半桥、副边单相全桥H2、高频隔离变压器M1、高频电感Ls和控制器；其中：所述原边混合五电平单元的直流母线的正极分别与对应直流电压源的正极和输入滤波电容Cinp的正极相连，原边混合五电平单元的直流母线的负极分别与对应直流电压源的负极和输入滤波电容Cinn的负极相连，原边混合五电平单元一端与第一输入滤波电容Cinp和第二输入滤波电容Cinn的串联中点相连，原边混合五电平单元通过高频电感Ls与高频隔离变压器M1的原边相连，原边两电平半桥中点与高频变压器原边的另一端相连。
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公开(公告)号：CN111076761B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201911392579.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学 , 睿魔智能科技(深圳)有限公司
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开一种磁编码器校准方法及系统。该方法包括：获取磁编码器测量获得的电机关节角角度；结合角度对应关系表和线性插值算法对测量获得的电机关节角角度进行修正；角度对应关系表通过如下步骤建立：选取校准角度范围，根据校准角度范围设置采样点数，并根据采样点数及校准角度范围设置每一采样点对应的目标欧拉角度；控制旋转设备的安装有磁编码器的旋转轴根据采样点依序转动至所有目标欧拉角度，获取并记录该旋转轴转动至各个目标欧拉角度时磁编码器测量获得的对应的电机关节角角度，建立角度对应关系表。本发明通过将磁编码器安装于旋转设备的旋转轴上直接进行校准，利用磁编码器测量获得的电机关节角角度映射为真实的角度，操作简单快捷。
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公开(公告)号：CN115021424A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210618370.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双向AC/DC无线电能传输系统控制方法，该系统是在传统SS补偿的无线充电系统的直流输入前侧加入一级全桥式电路和交流滤波电路，可以实现电能AC/DC和DC/AC双向传输。当工作在AC/DC方向时，利用SS补偿无线充电系统在自然恒流频率下的电压相位关系和阻抗特性移相控制后级电路，在不需外加PFC电路和无交流侧电流采样的条件下，实现了功率因数校正功能，且具备恒压输出和恒流输出能力。在反向工作时，系统可以实现电能DC/AC的传输。所述系统相较于传统的双向AC/DC无线电能传输系统具有低成本，高效率的优势，其控制方法易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394965A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110835880.4
申请日：2021-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于数字控制图腾柱PFC电压过零点畸变控制装置及方法。其中通过采样模块，然后经过模数转换单元，采集到输入输出电压信息以及电感上电流信息，通过电压外环控制单元和电流内环控制单元对产生的误差信号进行补偿调节，最后调节器输出经过PWM调制器产生门控信号来控制桥臂上开关管动作。本发明通过引入加方波的形式，使得在过零点处占空比不会突变，而是平缓过渡。通过采集输入电压过零点进行锁相环处理，采集输出电压，经过电压外环，输出作为电流内环控制单元的幅值参考，相位参考由锁相环环节输出给定，最终通过占空比控制实现对输入电流的功率因素校正。通过控制，明显改善了电流波形，降低了输入电流的THD。
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公开(公告)号：CN110411481B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910822992.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 杭州电子科技大学 , 睿魔智能科技(深圳)有限公司
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明公开一种陀螺仪不正交误差的校准方法及校准系统。该方法包括：步骤S110、初始化云台上陀螺仪各轴向不正交误差为零，控制云台各轴关节角处于初始零位；步骤S120、控制云台的一轴绕对应轴向转预设角度，更新转动次数；步骤S130、获取云台各轴关节角变化值及陀螺仪测得的各轴向角速度，计算转动轴轴向的不正交误差，并对各轴向的角速度进行校准；步骤S140、判断是否满足预设条件，若否，返回执行步骤S120；若是，控制该轴回到初始零位；步骤S150、判断各轴是否校准完毕，若否，控制其他轴执行步骤S120‑S140，若是，结束。本发明通过将陀螺仪安装于云台上直接校准不正交误差，避免安装误差的影响。
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公开(公告)号：CN111555596B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010345988.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n‑mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n‑mos管的漏极与第二n‑mos管的漏极连接，第一n‑mos管和第二n‑mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n‑mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
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公开(公告)号：CN111725978A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010624746.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路，第一稳压管与第一电容并联后的前端与前级的功率推挽电路T1、T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的前端连接，第二二极管的负极通过第二电容、第三电阻的并联电路与接地端、第三电容与第四电阻的后端连接，第一二极管的正极与第一电阻的前端连接，第一mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第一mos管的漏极通过第三电容与接地端连接，第一电阻的后端、第二电阻的后端、第一mos管的源极与SiC MOSFET的栅极连接。
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公开(公告)号：CN111682578A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010386929.8
申请日：2020-05-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种三相谐波谐振抑制装置及抑制方法。本发明通过实时动态调节控制策略和控制参数，操作各桥臂的协同动作，达到串联或并联虚拟阻抗的效果，实现对PCC点阻抗无源性的拓展，从而对PCC点交互谐振电压和交互谐振电流进行优化抑制，实现交互谐振区域优化抑制的目的。此外，相对于传统PCC端谐波抑制装置，本发明提出的装置不需要变压器隔离，所需半导体开关器件耐压低，电路成本低廉，功率密度高。
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