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公开(公告)号：CN1363102A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN00810424.7
申请日：2000-07-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
CPC classification number: H01G9/0525 , C22C1/045 , C22C27/02 , C22C32/0068
Abstract: 一种铌粉,其氮化量处于500重量ppm以上和7000重量ppm以下,平均粒径为0.2微米以上和3微米以下。烧结这种铌粉得到的烧结体。这种烧结体的比漏电流值一般处于400[pA/(μF·V)]以下。以这种烧结体作为一侧电极,和在其表面上形成的电介质以及另一侧电极构成的电容器,能显示良好的漏电流特性。
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公开(公告)号：CN87107675A
公开(公告)日：1988-05-18
申请号：CN87107675
申请日：1987-11-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0425 , Y10T29/417
Abstract: 一种固态电解电容器包括由具有阀门作用的金属构成的正电极基片，一层绝缘氧化膜，一层半导体和一层导电层，把它们按顺序形成在正电极基片上，其中导电层主要由金属氧化物粉末、金属粉末，也可有金属盐构成。这种电容在高温下具有良好的和持久的稳定性。在制备这种电容的过程中，对形成在绝缘氧化膜上的半导体层最好进行超声波清洗。
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公开(公告)号：CN106575576B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201580037531.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种固体电解电容器元件的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：烧结工序，该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体；化学转化工序，该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层；半导体层形成工序，该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中，使所述单体聚合，来形成由导电性高分子构成的半导体层；和导电体层形成工序，该工序在所述阳极体上形成导电体层，在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。根据本发明，能够生产率良好地制造未密封等的不良品少的固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN104246933B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380018801.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , H01G9/0029 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15 , Y10T29/51
Abstract: 本发明涉及含有合计400～1200质量ppm的铋元素或锑元素的钨阳极体。通过将本发明的阳极体用于电容器，能够制造容量大、容量偏差小、且LC良好的电容器。
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公开(公告)号：CN106575576A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580037531.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G11/86 , H01G9/0029 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/052 , H01G9/15
Abstract: 本发明提供一种固体电解电容器元件的制造方法，其特征在于，依次包括以下工序：烧结工序，该工序将阀作用金属烧结而形成阳极体；化学转化工序，该工序在所述阳极体的表层部形成电介质层；半导体层形成工序，该工序通过将所述阳极体浸渍于导电性高分子的单体的溶液中，使所述单体聚合，来形成由导电性高分子构成的半导体层；和导电体层形成工序，该工序在所述阳极体上形成导电体层，在不引起所述导电性高分子的单体的光聚合的条件下进行所述半导体层形成工序。根据本发明，能够生产率良好地制造未密封等的不良品少的固体电解电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105828980A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480067620.5
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F5/00 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/045 , H01G9/0029 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15 , B22F9/082 , B22F1/0003 , B22F1/0088 , B22F2207/01
Abstract: 本发明提供一种漏电流(LC)性能良好的电解电容器用的钨粉，该钨粉仅在粒子的表面区域(第1表面区域)具有钼元素，且钼元素的含量为0.05～8质量％。优选钨粉的体积平均一次粒径为0.1～1μm，钼元素局部存在于从其粒子表面向粒子内部深入20nm的位置为止的区域，并且在粒子表面区域(第2表面区域)具有硅化钨、氮固溶化了的钨、碳化钨、硼化钨的至少1种，磷元素的含量为1～500质量ppm。
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公开(公告)号：CN105324824A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035180.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , H01G9/0029 , H01G9/042 , H01G9/052
Abstract: 通过如下的制造方法得到电容器的阳极体，该制造方法包括：使线材植入含有钨粉和高氧亲和性金属粉的混合粉并将该混合粉成形，将该成形体焙烧而得到烧结体；前述高氧亲和性金属为具有高于钨的氧亲和性的金属；以烧结体中的高氧亲和性金属相对于钨成为0.1～3质量％的方式调节混合粉中的高氧亲和性金属粉的量；前述线材由钽或铌形成。使用该阳极体而得到电解电容器。
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公开(公告)号：CN103109334B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180044643.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0029 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/15 , H01G13/00
Abstract: 本发明涉及固体电解电容器元件的制造方法，其包括对于在表面形成有电介质层的多个阳极体，在各阳极体的电介质层上同时地形成半导体层的工序，形成半导体层的工序包含反复进行多次的下述操作的步骤，所述操作是从与各个阳极体接触的供电端子通电来进行电解聚合的操作，进行至少一次的电解聚合的操作中，一边在每个供电端子5～200μA的范围变更电流量一边连续地进行通电。本发明还涉及电解聚合用工具，其用于在形成于阳极体的表面上的电介质层上形成半导体层，其具有：（i）在绝缘基板上的、可在下限值和上限值之间连续改变通电量的多个电源电路；和（ii）与所述多个电源电路的各输出电连接的、用于与阳极体接触的供电端子。本发明通过电解聚合在多个阳极体的电介质层上以高含浸率同时地形成半导体层，可得到耐湿性能良好的电容器元件组。
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公开(公告)号：CN104412345A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035107.3
申请日：2013-07-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/10 , B29C45/14467 , B29C45/14639 , B29C2045/1454 , B29L2031/3406 , H01G9/0029 , H01G9/012 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种片状固体电解电容器的制造方法，在将固体电解电容器元件载置于成为阴极端子的引线框的阴极引线的一面(正面)侧，并将所述固体电解电容器元件的阳极和阴极分别与所述引线框的阳极端子和阴极端子电连接后，通过传递模塑成形从模具的树脂注入口注入外装树脂而进行密封的片状固体电解电容器的制造方法中，在从所述注入口注入了的外装树脂向引线框的另一面(反面)侧和正面侧两方分流的位置设置注入口。根据本发明，能够在通过传递模塑成形的电容器元件的树脂密封中，在成形时将多个电容器元件的位置彼此保持水平，进行完全树脂密封。
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公开(公告)号：CN104246933A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018801.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , H01G9/0029 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15 , Y10T29/51
Abstract: 本发明涉及含有合计400～1200质量ppm的铋元素或锑元素的钨阳极体。通过将本发明的阳极体用于电容器，能够制造容量大、容量偏差小、且LC良好的电容器。
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