公开(公告)号：CN107004430A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068639.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  C10M111/04 ,  C10M2211/0425 ,  C10M2213/043 ,  C10N2220/021 ,  C10N2230/56 ,  C10N2240/20 ,  C10N2240/204 ,  C10N2250/08

Abstract: 一种磁记录介质，润滑剂层包含式(1)所示的化合物A和式(2)所示的化合物B，(A/B)为0.2～3.0，且平均膜厚为0.8nm～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)(R1为碳原子数1～4的烷氧基。R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑(x、y为0～15)、‑CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2‑(z为1～15)、‑CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2‑(n为0～4)。HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)(m为整数)。

公开(公告)号：CN106340313A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610487247.X

申请日：2016-06-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/72

Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录再生装置。对于该磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有式(1)(R1为碳数为1～4的烷氧基。R2为-CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2-)的化合物A和式(2)的化合物B，化合物A、B的质量比(A/B)为0.2～0.3，化合物A、B的平均分子量分别为1500～2000、1300～2400，平均膜厚为0.5～2nm。R1-C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2-R2-CH2OCH2CH(OH)CH2OH(1)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH(2)。(4)侧的最表面含有碳和10原子％～90原子％的

公开(公告)号：CN100414611C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200580001568.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  松本俊 ,  远藤大三

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/73

Abstract: 一种磁记录介质包括依次堆叠在非磁性衬底上的方向调整层、非磁性衬层、非磁性中间层、磁性层和保护层，该非磁性衬底在其第一表面上提供有纹理并且用于磁盘。该非磁性衬层含有由Cr-Mn类合金形成的至少一层并且具有沿其圆周方向的易磁化轴的磁各项异性。磁记录和再现设备包括该磁记录介质和使得信息能够记录在该从记录介质上并且从中再现的磁头。