-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101313356A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043383.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种使用硅基底的磁盘基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面；滑雪跳跃值H0，其中H0≤0μm，表示从基平面到点A3的距离；滚降值H1，其中H1≥－0.2μm且H1≤0.0μm，表示从所述基平面到点A1的距离；标记值H2，其中H2≥0μm且H2≤0.012μm，表示所述主表面的边界线相对于线A1到A2的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面；且所述曲面的曲率半径R，其中R≥0.013mm且R≤0.080mm。
-
公开(公告)号：CN101268508A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034998.0
申请日：2006-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种用于磁记录介质的硅基底，其中该基底在其具有包括磁性层的层的数据承载面(表面)与其外周端面(竖直面)之间具有倒棱面。该硅基底的特征在于，数据承载面的外周侧的dub－off值不大于120，其中，当第一位置(A)是在数据承载面上的与基底的外周端面相距1mm处在径向上向内设置的一个点时，第二位置(B)是在数据承载面上的与第一位置(A)进一步相距1.6mm的在径向上向内设置的一个点，此外，如果垂直线落到连接第一位置(A)和第二位置(B)的直线(A－B)，则第三位置(C)是该垂直线与数据承载面相交的点，以及第四位置(H)是该垂直线与直线(A－B)相交的点，dub－off值定义为第三位置(C)和第四位置(H)之间的距离(C－H)的最大值。使用这种硅基底，对于磁记录介质，可以获得用于较高记录密度的小的雪崩点。还提供一种使用这种硅基底的磁记录介质。
-
-
公开(公告)号：CN101010169A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029285.0
申请日：2005-08-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24B37/042 , B24B57/04 , C03C19/00 , G11B5/8404
Abstract: 本发明涉及一种磁盘基底的制造方法，其能够减少在玻璃基底表面上存在的滑痕的数量并增大玻璃基底的合格率。当通过利用每个都具有衬垫的抛光盘对玻璃基底的表面进行抛光时，通过将加工速率设定为0.15μm/分或更低并且将衬垫槽宽设定为2至4mm来对非晶或晶化玻璃基底进行抛光。而且，通过将加工速率设定为0.15μm/分或更低来对化学钢化玻璃基底进行抛光。
-
公开(公告)号：CN101005923A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028056.7
申请日：2005-08-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24B9/00 , B24B9/065 , B24B29/005 , B24B29/04 , B24B37/02 , G11B5/8404
Abstract: 提供一种抛光方法，该抛光方法在对用于记录介质的多个盘形基底的内缘端面进行抛光时没有加工量差量。提供一种利用刷子对用于记录介质的盘形基底的内缘端面进行抛光的方法，包括：提供多片用于记录介质的盘形基底，其在中心部分具有圆形孔从而形成内缘端面，并且层叠该多片盘形基底，同时对准圆形孔，从而形成在中心部分具有圆形孔的抛光对象；将包含抛光材料的抛光材料浆液接触到所述抛光对象；在所述浆液接触到所述抛光对象的情况下，将抛光刷从所述抛光对象的第一端插入到抛光对象的圆形孔中，其中抛光刷在杆形轴的周边散布有刷毛，然后以该轴作为中心轴来旋转抛光刷，从而对基底的内缘端面进行抛光；以及在所述浆液接触到所述抛光对象的情况下，将所述抛光刷从与第一端相对的第二端插入到所述抛光对象的圆形孔中，然后以该轴作为中心轴来旋转抛光刷，从而对基底的内缘端面进行抛光。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.018 seconds)
