-
公开(公告)号：CN1276412C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
-
公开(公告)号：CN1725304A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081819.6
申请日：2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置，其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5)，其中两个软磁性层(3a，3b)彼此反铁磁性耦合；磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候，包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a，3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在联络测线方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式：Hex_afc＞1.6*ln((0.23－MWW)2*100))+25.6。
-
公开(公告)号：CN1487507A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
-
公开(公告)号：CN1802697B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少：取向控制层，用来控制直接形成于其上的层取向、垂直磁性层，具有取向基本垂直于非磁性基片的易磁化轴、以及保护层，垂直磁性层包括多个磁性层，其中包括上下接触的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的下层，并且第二磁性层是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的上层。下层具有散布在其中的磁性晶体颗粒，磁性晶体颗粒的周围离析出氧化物以对磁性晶体颗粒进行磁性隔离和精细划分，并且磁性晶体颗粒以柱状形式贯穿层，下层的柱状磁性晶体颗粒的上面外延生长有上层的磁性晶体颗粒且与其一对一、一对多或多对一对应。
-
公开(公告)号：CN101040326B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580034550.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
Abstract: 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505045C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol%至15mol%之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
-
公开(公告)号：CN100470637C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200580022116.4
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/65 , G11B5/667
Abstract: 一种磁记录介质，包括在非磁性基底上层叠的至少一层软衬层、一层垂直磁记录膜和一层保护膜。所述非磁性基底为一个直径小于等于48mm的硅圆片。一种用于制造所述磁记录介质的方法包括在形成保护膜时在所述硅基底上施加一个偏压。可以用所述方法制造磁记录介质。可以用所述磁记录介质和一个用于在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头来制造一种磁记录和再现设备。所述磁头是一个磁单极磁头。
-
公开(公告)号：CN100421155C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质(10)包括在非磁性基底(1)上层叠的至少非磁性下层(2)、垂直磁性层(3)以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol%到30mol%。
-
公开(公告)号：CN1275232C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
-
公开(公告)号：CN1802697A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.025 seconds)
