公开(公告)号：CN104350620A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380029860.1

申请日：2013-06-06

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 东内智子 ,  高根信明 ,  山浦格 ,  稻田麻希 ,  横田弘

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管的光半导体装置的制造方法，该制造方法具有：形成被覆所述镀银层的粘土膜的膜形成工序、和在所述膜形成工序后通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层电连接的连接工序。