公开(公告)号：CN105814244A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480066807.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 东原周平 ,  岩井真 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/0095 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/32

Abstract: 对于具有氮化镓层的基板，降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤，并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为?10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。

公开(公告)号：CN103429800B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201280014356.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  东原周平 ,  平尾崇行

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/406 ,  H01L31/1856

Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。

公开(公告)号：CN101137774B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680007322.2

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  今井克宏 ,  东原周平

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C01B21/06

CPC classification number: C01B21/06 ,  C30B11/002

Abstract: 本发明提供一种用于收纳在非氧化性气氛下进行加热和加压处理的易氧化性或易吸湿性物质(10)的容器(1)，容器(1)设有开口(4)，设置有气密密封该开口(4)、在加热和加压条件下使开口(4)与非氧化性气氛相连通的密封部件(5)。密封部件(5)在加热下熔融和/或变形或者在加压下破坏或从容器(1)上分离。

公开(公告)号：CN101137774A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007322.2

申请日：2006-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  今井克宏 ,  东原周平

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C01B21/06

CPC classification number: C01B21/06 ,  C30B11/002

Abstract: 本发明提供一种用于收纳在非氧化性气氛下进行加热和加压处理的易氧化性或易吸湿性物质(10)的容器(1)，容器(1)设有开口(4)，设置有气密密封该开口(4)、在加热和加压条件下使开口(4)与非氧化性气氛相连通的密封部件(5)。密封部件(5)在加热下熔融和/或变形或者在加压下破坏或从容器(1)上分离。