公开(公告)号：CN112930632B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201980070740.3

申请日：2019-10-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 三浦峰生 ,  林口匡司 ,  寺田润

IPC: H02H3/087 ,  H02H7/12 ,  H02M7/48 ,  H03K17/08

Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。

公开(公告)号：CN102637740A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210110603.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 三浦峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。

公开(公告)号：CN1906767B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200580001434.2

申请日：2005-02-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 三浦峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。

公开(公告)号：CN1906767A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001434.2

申请日：2005-02-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 三浦峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。