电机的控制装置以及控制方法

    公开(公告)号:CN109196773B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201680086203.4

    申请日:2016-06-21

    Inventor: 川村弘道

    Abstract: 本发明的电机的控制方法通过电压相位控制而对经由逆变器向电机施加的施加电压进行控制。该控制方法具有:相位指令值计算步骤,基于对电机的扭矩指令值并通过前馈控制而对用于电压相位控制的相位指令值进行计算;振幅指令值计算步骤,根据逆变器的驱动电压而对用于电压相位控制的振幅指令值进行计算;电压指令值计算步骤,根据相位指令值以及振幅指令值而计算针对电机的电压指令值;以及电压施加步骤,根据电压指令值而从逆变器将施加电压施加于所述电机。

    控制装置以及控制方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107646167A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201580079085.X

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 控制装置具有一对开关元件,该一对开关元件将来自电源的电力变换为交流电力而向负载供给。该控制装置获取对负载供给的电流或者电压的信号,将该信号从模拟信号变换为数字信号,基于变换后的信号对占空指令值进行运算,该占空指令值用于对负载进行PWM控制。控制装置基于运算所得的占空指令值和用于进行PWM控制的载波信号而生成PWM信号,基于生成的PWM信号而对开关元件的连接状态进行切换,由此控制对负载供给的交流电力。而且,控制装置判定载波信号是增加还是减少,基于判定出的载波信号的增减而对占空指令值进行校正,由此对开关元件的切换定时进行调整。

    电机控制装置和电机控制方法

    公开(公告)号:CN107615643A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201580080213.2

    申请日:2015-05-21

    Inventor: 川村弘道

    CPC classification number: H02P27/08 H02P27/02 H02P29/027 H02P29/40

    Abstract: 具备:控制起动停止判定部(11),其输入有对电机(5)的起动以及停止进行控制的起动停止请求信号、和电机(5)的转速信息,将以控制停止、控制起动以及控制开始这3个状态对驱动电压的状态进行切换的状态信号输出;以及驱动电压控制部(12),在状态信号从控制停止转变为控制起动的状态之后直至转变为控制开始的状态为止的期间,该驱动电压控制部(12)利用PWM信号而使得对电机(5)供给的相电流逐渐增大。

    温度保护装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103109460B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201180044721.7

    申请日:2011-09-12

    Inventor: 川村弘道

    CPC classification number: G01K3/04 H02P29/68 H03K17/0828 H03K2017/0806

    Abstract: 一种温度保护装置,包括温度检测器(31,32,33,34,35,36)、温度估计器(64)、过热状态判断组件(37,65)和过热保护组件(66)。温度检测器(31,32,33,34,35,36)检测半导体组件(3)的温度。温度估计器(64)估计半导体组件(3)的估计温度。过热状态判断组件(37,65)基于检测温度和估计温度,通过使用第一估计温度和第二估计温度来判断半导体组件(3)是否处于过热状态,其中该第一估计温度是检测温度达到了第一阈值温度的时间点处的估计温度,该第二估计温度是在检测温度达到了第一阈值温度的时间点之后所估计出的估计温度。过热保护组件(66)基于过热状态判断组件(37,65)所进行的判断来保护半导体组件(3)免于过热。

    电力变换机的控制装置
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102934344B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201180027311.1

    申请日:2011-06-03

    Inventor: 川村弘道

    Abstract: 作为本发明的一形态的电力变换机的控制装置,包括:在进行半导体元件的温度的估计运算的周期中,计算半导体元件的平均损耗的平均损耗计算单元(202);以及将半导体元件作为至少具有一组的一个热阻和热时常数的组的热网络来捕捉,根据半导体元件的损耗及热阻和热时常数的组,估计该组的部分温度的变化的部分温度变化估计单元(204)。部分温度变化估计单元(204)从半导体元件的损耗、热阻及热时常数中估计平均温度,基于热阻、热时常数及损耗的脉动频率,提取超过依赖于平均损耗和脉动频率的脉动温度的极大值的脉动量包络温度,将平均温度和脉动量包络温度进行总和,从而估计半导体元件的温度变化。

    温度保护装置
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103109460A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201180044721.7

    申请日:2011-09-12

    Inventor: 川村弘道

    CPC classification number: G01K3/04 H02P29/68 H03K17/0828 H03K2017/0806

    Abstract: 一种温度保护装置,包括温度检测器(31,32,33,34,35,36)、温度估计器(64)、过热状态判断组件(37,65)和过热保护组件(66)。温度检测器(31,32,33,34,35,36)检测半导体组件(3)的温度。温度估计器(64)估计半导体组件(3)的估计温度。过热状态判断组件(37,65)基于检测温度和估计温度,通过使用第一估计温度和第二估计温度来判断半导体组件(3)是否处于过热状态,其中该第一估计温度是检测温度达到了第一阈值温度的时间点处的估计温度,该第二估计温度是在检测温度达到了第一阈值温度的时间点之后所估计出的估计温度。过热保护组件(66)基于过热状态判断组件(37,65)所进行的判断来保护半导体组件(3)免于过热。

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