公开(公告)号：CN111557129A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201880084168.1

申请日：2018-12-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B3/14 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备电阻层(10)、导电层(20)和电介质层(30)。导电层(20)具有比电阻层(10)的薄层电阻更低的薄层电阻。电介质层(30)配置于电阻层(10)与导电层(20)之间。电磁波吸收体(1a)具有第一狭缝(15)。第一狭缝(15)在电阻层(10)中从相对于电介质层(30)处于远端的第一主表面(10a)沿与第一主表面(10a)垂直的方向朝向电介质层(30)延伸，并且将电阻层(10)划分成多个第一区块(17)。第一区块(17)在第一主表面(10a)中的最小尺寸(D1)为2mm以上。

公开(公告)号：CN110809914A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880039218.4

申请日：2018-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10。

公开(公告)号：CN110771274A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039478.1

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/08 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)是含有氧化锡或氧化钛作为主要成分的层，或者，电阻层(20)是由含有40重量％以上的氧化锡的氧化铟锡形成的层。

公开(公告)号：CN110771273A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10-4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN110741744A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880039425.X

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/082 ,  B32B15/20 ,  B32B9/04 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B27/36 ,  B32B7/025 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)具有200～600Ω/□的薄层电阻。在对电阻层(20)进行将电阻层(20)在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层(20)的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层(20)的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。

公开(公告)号：CN105074431B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480017509.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 尾崎真由 ,  山形一斗 ,  永冈直树 ,  绀谷友广

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/03

CPC classification number: G01N21/553 ,  G01N21/7703 ,  G01N2021/7776 ,  G01N2201/0638 ,  G01N2201/08

Abstract: 本发明提供具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件包括：下包层；芯层，其设置成使所述芯层的至少一部分与该下包层相邻；以及金属层，其覆盖该芯层，其中，该芯层具有折射率均匀层和折射率梯度层，该折射率梯度层配置在该折射率均匀层与该金属层之间，该折射率梯度层的折射率为该折射率均匀层的折射率以上，在该折射率梯度层的厚度方向上，该折射率梯度层的折射率自该折射率梯度层的靠该折射率均匀层侧的表面朝向该金属层侧连续地增大。

公开(公告)号：CN103109213A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044551.2

申请日：2011-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西村明宪 ,  中村恒三 ,  武本博之 ,  渊田岳仁 ,  山形一斗 ,  首藤俊介 ,  泷田智仁

IPC: G02B5/02 ,  F21S2/00 ,  F21V3/04 ,  G09F9/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02B5/0294 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0278 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133504 ,  G09F13/0409

Abstract: 本发明提供一种可实现低后向散射且高浊度的薄膜的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有：第1区域，其具有第1折射率n1；折射率调制区域，其包围第1区域且实质上为球壳状；以及第2区域，其位于折射率调制区域的与第1区域相反侧且具有第2折射率n2；并且光扩散元件满足下述式(1)及(2)：0.0006≤Δn/L···(1)，10≤(Δn)2×A×B≤100···(2)。在这里，Δn是第1折射率n1与第2折射率n2之差的绝对值|n1-n2|，L(nm)是折射率调制区域的平均厚度，Δn/L的单位是(nm－１)，A是将整个光扩散元件设为100重量份时的构成第1区域的材料的重量份数，B是将整个光扩散元件设为100重量份时的构成第2区域的材料的重量份数。