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公开(公告)号：CN105814646B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580003048.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B27/36 , B32B27/30 , B32B27/34 , B32B27/32 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B9/04 , G02B1/14 , B32B27/28
CPC classification number: B32B7/02 , B32B7/12 , B32B9/045 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/732 , B32B2307/736 , B32B2457/208 , G02B1/14
Abstract: [课题]实现耐擦伤性高、制成片状时不产生成为问题的程度的卷曲的带保护薄膜的透明导电性薄膜。[解决方法]一种带保护薄膜的透明导电性薄膜(10)，其具备透明导电性薄膜(15)和保护薄膜(14)，所述透明导电性薄膜(15)具有：薄膜基材(11)、在薄膜基材(11)的一个主表面形成的光学调整层(12)、和在光学调整层(12)上形成的透明导电层(13)，所述保护薄膜(14)被粘贴于薄膜基材(11)的与透明导电层(13)处于相反侧的主表面，其中，透明导电性薄膜(15)及保护薄膜(14)具有在主表面内的至少一个方向上热收缩的特性，透明导电性薄膜(15)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值比保护薄膜(14)的主表面内的最大热收缩率(％)的绝对值小，且其差为0.05％～0.6％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107615223A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030771.2
申请日：2016-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明基材、含有树脂及无机颗粒的折射率调整层、含有无机原子的密合层、以及透明导电层，密合层与折射率调整层接触，折射率调整层的与密合层接触侧的界面附近区域中，无机原子数相对于碳原子数的比不足0.05。
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公开(公告)号：CN105452520A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/10 , G06F3/041 , H01B3/10 , H01B3/301 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/307 , H01B3/38 , H01B3/423 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01B3/442 , H01B3/447 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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公开(公告)号：CN105005405A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510185665.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/14 , B32B9/00 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , G02B1/11 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供透明导电层为低电阻率、且具有优异的耐擦伤性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层、以及透明导电层的透明导电性薄膜，前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含：利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层、以及作为SiO2膜的第三底涂层，前述第三底涂层的密度为2.0g/cm3以上且2.8g/cm3以下，前述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且3.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN105005404A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510184959.X
申请日：2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , C03C17/42 , C23C14/022 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/34 , G06F3/0416 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供能使透明导电层低电阻率化、且具有优异的耐湿热性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层和结晶质的透明导电层的透明导电性薄膜，前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层和作为化学计量组成的金属氧化物层的第三底涂层，前述透明导电层的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且1.6nm以下，前述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且3.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN204706006U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520382370.6
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本实用新型提供透明导电性薄膜，其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm～130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm，铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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