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公开(公告)号：CN108599535A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810743641.4
申请日：2018-07-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 一种适用于峰值电流模BUCK变换器的自适应斜坡补偿电路，属于电子电路技术领域。包括自适应电流产生模块和斜坡发生模块，自适应电流产生模块的输入端连接峰值电流模BUCK变换器的输入电压和输出电压，用于产生与输入电压和输出电压的差值成正比的自适应电流；斜坡发生模块将自适应电路产生模块产生的自适应电流信号转化为斜坡电压信号。本发明产生的自适应斜坡补偿电压信号不仅解决了环路稳定性的问题，同时还保证了在全占空比范围内系统品质因数Q都为最优值并且保持恒定不变，大大的加速了系统瞬态响应速度。
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公开(公告)号：CN105445146B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510888615.7
申请日：2015-12-04
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N9/00
Abstract: 本发明公开一种新型软磁磁环密度测试装置，包括设置于地面上的电子天平、高脚水槽和可调电磁铁，所述电子天平上表面设有烧杯，所述高脚水槽顶端设有样品架，所述样品架包括横梁、可滑动伸缩连杆和由垂直的拉杆和水平的横臂组成的L形升降臂，所述横梁设置于高脚水槽内侧壁靠近顶部的位置，所述高脚水槽其中一侧的水槽壁上开有竖直向下的滑槽，所述滑槽下端与高脚水槽内部连通，所述L形升降臂的拉杆与滑槽滑动连接，所述L形升降臂的横臂设置于高脚水槽内侧，所述高脚水槽外侧壁与滑槽对应的位置设有锁定L形升降臂的紧固螺栓。本发明以弥补传统密度测量装置在提升单一样品湿密度测试精度及批量样品密度测试时存在的不足。
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公开(公告)号：CN105352435B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510852430.0
申请日：2015-11-27
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明涉及一种精密测试技术及仪器领域，特别涉及一种激光波长修正式角反射镜激光干涉仪及测量方法，所述激光波长修正式角反射镜激光干涉仪，包括激光源、固定角反射镜、光电探测器、测量角反射镜装置和分光镜，所述测量角反射镜装置包括测量角反射镜和精密位移装置，所述精密位移装置为所述测量角反射镜提供与被测物体位移同向或反向的位移。本申请中，将被测物体实际位移中超出半个激光波长的小数部分△L也测量出来补充到位移检测结果中，进而使得本申请的激光干涉仪所测量得到的位移结果更加精确，同时在距离测量过程中，精密位移装置进行若干整数波长精确位移，通过精确的距离反求环境等效激光波长，进一步提高本发明激光干涉仪的测量精度。
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公开(公告)号：CN107276060A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710451285.4
申请日：2017-06-15
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 一种浪涌电压动态抑制电路，属于电子电路技术领域。本发明的电路包括浪涌电压检测电路和动态吸波电路，浪涌电压检测电路实时检测芯片内部电源Vin的电压值，并将此值与设定的启动动态吸波电路的开启阈值VT进行比较，如果Vin＞VT，便会开启动态吸波电路，将Vin限制在正常的工作电压。本发明抑制了芯片中浪涌电压的产生，克服了传统用滤波大电容占用较大芯片面积的缺点；本发明可以根据实际需求自行设定浪涌电压抑制电路的启动电压值，检测到浪涌电压时自动抑制浪涌电压，将其降到合理的值，保护了芯片内部器件的安全工作；当浪涌电压特别严重时，可以额外的打开一条放电通路来抑制浪涌电压的产生。
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公开(公告)号：CN104964641A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510369090.6
申请日：2015-06-29
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01B9/02
Abstract: 本发明涉及一种精密测试技术及仪器领域，特别涉及一种磁性微位移平台式级联阶梯角反射镜激光干涉仪及标定方法和测量方法，磁性微位移平台式级联阶梯角反射镜激光干涉仪，包括有激光源、微动阶梯角反射镜组、干涉测量光电探测器组、移动角反射镜和分光镜组，还包括有反射测量光电探测器组，所述反射测量光电探测器组包括有z个反射测量光电探测器，所述第二激光束组在由所述移动角反射镜射向所述分光镜组后还形成有反射激光束组，所述反射激光束组的各激光束分别射向一个所述反射测量光电探测器。本申请的激光干涉仪，根据反射激光束组的强度确定激光干涉光束的干涉状态，如此实现抗环境干扰的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111431490B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010382472.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种用于流水线ADC的全差分放大器，包括：电压偏置电路、差分型放大器本体电路和开关电容共模反馈电路；通过差分型放大器本体电路的全差分的结构设计，提高信噪比，降低增益带宽积的需求，从而降低功耗，节能；通过开关电容共模反馈电路为差分型放大器本体电路提供共模反馈，使其具备高增益；通过电压偏置电路为差分型放大器本体电路提供稳定的电压偏置；相比于传统技术，还具有输入摆幅范围大，输出摆幅范围大和线性度高的优点。
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公开(公告)号：CN117322894B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311525053.0
申请日：2023-11-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双通道复用技术的脑电采集模拟前端电路，涉及逻辑电路技术，包括依次连接的缓冲器、通道复用电路、跨导放大器电路、跨阻放大器电路、复用解调电路、程控增益放大器以及有源低通滤波器。本发明可以抑制电极组织阻抗产生的运动伪影和噪声，同时能够进行程控增益调节，避免输入信号放大后失真或衰减；并且在不减少前端通道数量的前提下有效降低电极芯片的功耗。
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公开(公告)号：CN109817460B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910291754.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点和金属封端镀层接触的第二金属触点，上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。本发明用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，为电子系统的小型化和高密度集成提供了更大的设计空间。
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公开(公告)号：CN108646842B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810776453.1
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN111030603A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911167715.5
申请日：2019-11-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都易源芯辰微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成程控增益放大功能的模拟前端结构，包括前置的第一缓冲器和第二缓冲器、选路开关S0、由跨导放大器和跨阻放大器级联构成的TCTI斩波放大器、第一低通滤波器以及第二低通滤波器。本发明中通过跨导放大器和跨阻放大器构成TCTI斩波放大器，能够对信号进行低噪声放大，并且TCTI斩波放大器带有程控增益放大功能，能够避免单独设计程控增益放大器，减少单功能模块设计，达到更高的集成度，有效减少了模拟前端的版图面积以及动态功耗。
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