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公开(公告)号：CN114174555A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053340.4
申请日：2020-07-24
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用该组合物的方法。在一个方面，使用包含C‑C双键或C‑C三键的至少一种第一化合物的共沉积来沉积所述含硅膜。
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公开(公告)号：CN113403604A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110661732.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/02
Abstract: 本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；采用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。
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公开(公告)号：CN113088927A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110368055.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由具有下式的至少一种前体沉积：R1nSi(NR2R3)mH4‑m‑n，其中R1独立地选自直链C1‑C6烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基；其中R2和R3各自独立地选自氢、C1‑C6直链烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基，其中R2和R3连接以形成环状的环结构或者不连接；n＝1、2或3；且m＝1或2。
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公开(公告)号：CN107923040B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201680051055.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/34 , C04B41/49 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；采用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。
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公开(公告)号：CN110357920A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910290443.1
申请日：2019-04-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/21 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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公开(公告)号：CN105906660B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610256473.7
申请日：2016-02-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述式I的双氨基烷氧基硅烷以及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C4至C10芳族烃基；R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、C4至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳族烃基；R6选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳族烃基。
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公开(公告)号：CN107312028A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710325154.1
申请日：2012-09-27
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/12 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C07F7/025 , C07F7/12 , C23C16/402 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p…I。其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
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公开(公告)号：CN113025992B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110244436.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了用于在含硅膜的半导体沉积工艺(例如，但不限于，等离子体增强原子层沉积)中形成含硅膜或材料(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用所述组合物的方法。
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