公开(公告)号：CN111108232A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880060933.6

申请日：2018-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  大卫·汤普森 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  拉纳·霍华德

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

Abstract: 描述了将膜选择性沉积到相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。所述方法包括将基板暴露于阻挡分子以在所述第一表面上选择性沉积阻挡层。将所述阻挡层暴露于聚合物引发剂以形成网络状阻挡层。在所述第二表面上选择性形成层。所述阻挡层抑制在所述第一表面上的沉积。然后，可以任选地去除所述网络状层。

公开(公告)号：CN110892508A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047381.5

申请日：2018-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  托马斯·卡尼斯利

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述增强选择性沉积的数种方法。一些实施方式中，在沉积介电质之前，将阻挡层沉积于金属表面上。一些实施方式中，金属表面经过官能化而增强或降低其反应性。