TSV盲孔填充的新方法及系统

    公开(公告)号:CN107675233A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710905749.4

    申请日:2017-09-29

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: C25D15/00 C25D7/12

    Abstract: 本发明公开了一种TSV盲孔填充的新方法,包括以下步骤:步骤一、将带有TSV盲孔的硅片放入去离子水中,进行抽真空预处理,排尽TSV盲孔内气体;步骤二、将预处理后的硅片与电镀阴极连为一体;步骤三、向电镀液中加入添加剂、抑制剂和加速剂,充分混合形成悬浮电镀液;步骤四、将悬浮电镀液加入电镀槽内,将电镀电源的电镀阳极和电镀阴极均置入悬浮电镀液中,使硅片在悬浮电镀液中静置,使电镀液在TSV盲孔内达到初步吸附平衡;步骤五、将循环泵的入口和出口接通至悬浮电镀液中,入口连通至电镀阳极处、出口连通至电镀阴极处;步骤六、启动循环泵同时启动电镀电源,开始电镀,循环泵向电镀槽内的悬浮电镀液提供流速。能够有效的提高填充效率、降低成本。

    微铜柱的制造方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107546139A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201710735809.2

    申请日:2017-08-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种微铜柱的制造方法,包括:步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构,在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘;步骤二、制作微阳极,微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配;步骤三、制作微阳极夹具盘,将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域,并将各微阳极连通;步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方,使微阳极与焊盘一一对应,将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极,芯片连接至电镀电源的负极;步骤五、采用局部电化学沉积方法,在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低,制备过程简单,降低了制作成本;并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱,生产效率较高。

    微铜柱的制造方法
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107546139B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201710735809.2

    申请日:2017-08-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种微铜柱的制造方法,包括:步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构,在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘;步骤二、制作微阳极,微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配;步骤三、制作微阳极夹具盘,将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域,并将各微阳极连通;步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方,使微阳极与焊盘一一对应,将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极,芯片连接至电镀电源的负极;步骤五、采用局部电化学沉积方法,在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低,制备过程简单,降低了制作成本;并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱,生产效率较高。

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