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公开(公告)号：CN107974712A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711122061.5
申请日：2017-11-14
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , C01B32/984
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种半绝缘碳化硅单晶的制备方法。本发明通过在原料中掺杂浅能级受主元素IIIA族元素，在晶体生长过程中采用掺杂SiC原料长晶，将浅能级受主元素引入SiC晶体中，从而达到对浅能级施主杂质的充分补偿，实现SiC晶体的半绝缘特性。使用本发明生长半绝缘SiC晶体无需通过快速降温实现高浓度点缺陷的引入，从而减小了晶体应力，提高了晶体质量；较低浓度的点缺陷减少了电学性能的不稳定性；此外，通过控制掺杂浓度，可以实现对晶体电阻率的可控调节。
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公开(公告)号：CN105970286B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610463988.4
申请日：2016-06-23
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
IPC分类号： C30B19/06
摘要： 本发明属于新材料加工技术领域，发明人提供了一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法，其采用了一种多坩埚的承载装置，通过石墨绳的牵制让SiC籽晶固定在坩埚底部浸渍在熔融液中生长，由此既能给SiC晶体的生长提供了相对稳定的生长环境，通过熔融液的流动易于将C向底部SiC籽晶附近部分供给，同时又进行多坩埚生长提高生产效率，解决了溶液法中存在的生长环境不稳定、生长速率低等一系列难题。
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公开(公告)号：CN111118598A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911368211.X
申请日：2019-12-26
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法，属于半导体材料领域。该制备方法包括将原料和籽晶置于坩埚，组装坩埚和保温结构置于长晶炉内，长晶炉侧壁外围设置热线圈组，安装调节机构；除杂；长晶；其中，加热线圈组包括与原料区对应设置的第一线圈组和，与长晶区对应设置的第二线圈组，沿自原料至籽晶的方向，第二线圈组的内径增大。该碳化硅单晶的制备方法设置形成生长腔内的轴向温度梯度，可以制得高质量的碳化硅单晶；调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度，提高长晶速率和长晶质量；在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，可以高效制得高质量碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN108130592B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711121551.3
申请日：2017-11-14
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , C01B32/984
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，本发明通过在原料中降低电活性杂质的同时引入原子尺寸较大的IVA族元素，晶体生长过程中采用掺杂SiC原料长晶，将适量的IV族元素引入SiC晶体中，从而提高晶体中本征点缺陷的浓度，实现对浅能级杂质的充分补偿，实现SiC晶体的半绝缘特性。使用本发明生长高纯半绝缘SiC晶体无需通过快速降温实现，从而减小了晶体应力，提高了晶体质量；此外，通过控制掺杂浓度可以很好的控制引入到晶体中的本征点缺陷浓度，从而实现了对晶体电阻率的调控。
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公开(公告)号：CN110067026A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910344555.0
申请日：2019-04-26
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法，属于晶体生长领域。该碳化硅单晶的PVT长晶方法包括下述步骤：提供一长晶装置，该长晶装置包括重量传感器、坩埚和在坩埚内可升降的装料部，所述装料部用于装载碳化硅原料，所述重量传感器用于检测装料部内碳化硅原料重量；将装料部装载碳化硅粉料后进行长晶，长晶包括第一长晶阶段和第二长晶阶段，调整装料部的不同部分置于坩埚内的高温区进行长晶。该PVT长晶方法可精确自动控制装料部在热场中的位置，碳化硅单晶长晶环境稳定，生长的碳化硅晶体的质量高，可充分挥发碳化硅长晶原料，提高了长晶原料的利用率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN110055583A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910344580.9
申请日：2019-04-26
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种用于长晶的装置，属于晶体生长设备领域。该长晶装置包括：坩埚，所述坩埚内相对设置用于装载原料的装料部和籽晶，所述装料部包括至少一个气体出口，所述装料部可通过调节机构向籽晶方向往复移动；加热装置，通过感应加热方式加热坩埚使得升华原料从气体出口流出后气相传输至籽晶表面长晶；以及保温结构，所述坩埚设置在保温结构腔内，用于控制坩埚散热。该长晶装置可精确自动控制装料部在热场中的位置，长晶环境稳定，生长的晶体的质量高，可充分挥发长晶原料，提高了长晶原料的利用率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN109234802A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811205277.2
申请日：2018-10-16
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/025 , C30B33/02
摘要： 本申请公开了一种制备高质量半绝缘碳化硅单晶衬底的方法，属于半导体材料领域。该制备方法通过对高纯碳化硅单晶晶片进行高温快速热处理技术和表面激光退火技术，将引入到高纯半绝缘碳化硅衬底表面一定区域内的点缺陷进行清除，同时保留距离衬底表面的内部点缺陷，从而实现在无缺陷的碳化硅单晶衬底表层洁净区并保留碳化硅单晶衬底的半绝缘特性，且制备的GaN外延层的获得最佳的质量。
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公开(公告)号：CN109234801A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811303469.7
申请日：2018-11-02
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法，属于碳化硅单晶的制备领域。所述连续制备碳化硅单晶的方法可通过简单的调节坩埚与套环的相对位置，不需要更换坩埚即可连续制备凸率均匀的碳化硅单晶；并且可针对性的设计特定热场，改变坩埚内部的气相传输路径，从而实现快捷有效的热场和流体控制。本申请的提高连续生长碳化硅单晶品质的方法中，在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环装置，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。
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公开(公告)号：CN108130592A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711121551.3
申请日：2017-11-14
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , C01B32/984
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，本发明通过在原料中降低电活性杂质的同时引入原子尺寸较大的IVA族元素，晶体生长过程中采用掺杂SiC原料长晶，将适量的IV族元素引入SiC晶体中，从而提高晶体中本征点缺陷的浓度，实现对浅能级杂质的充分补偿，实现SiC晶体的半绝缘特性。使用本发明生长高纯半绝缘SiC晶体无需通过快速降温实现，从而减小了晶体应力，提高了晶体质量；此外，通过控制掺杂浓度可以很好的控制引入到晶体中的本征点缺陷浓度，从而实现了对晶体电阻率的调控。
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公开(公告)号：CN207109148U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720790310.7
申请日：2017-07-03
申请人： 山东天岳先进材料科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅生产用长晶炉提升装置，包括提升杆和机架，所述机架上设置有底座，所述底座上方与支架的底部固定连接，所述支架上安装有步进电机，所述步进电机的输出端连接有第一丝杆，所述第一丝杆上安装有滑块，所述滑块的另一侧固定连接有固定板，所述固定板固定连接于连接柱的顶部，所述连接柱的底部可拆卸连接于提升杆的顶部，所述提升杆的底部固定连接有籽晶安装槽。本实用新型通过步进电机可带动滑块上移或下移，操作方便控制精度高，长晶结束后通过，可以将完成长晶的碳化硅移动到长晶炉的一侧，便于卸料，通过限位槽与锁紧螺母相互配合，装卸提升杆操作方便，固定效果好，有效防止提升杆从空腔内滑落。
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