公开(公告)号：CN1437061A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN02159341.8

申请日：2002-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐佐木伸夫

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3659 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136245 ,  G09G3/3614 ,  G09G2300/0823 ,  G09G2310/06

Abstract: 本发明提供了有源矩阵型TFT LCD，其象素TFT的驱动电压降低了。象素由两薄膜晶体管构成，即，一个施加正压的n型TFT和一个施加负压的p型TFT，前者在象素电极上施加数据电压使之具有正极性，后者在象素电极上施加数据电压使之具有负极性。施加正电压TFT的源极与象素电极相连，其漏极与数据总线相连用来加正压；其栅极与栅总线相连用来施加正压。其它TFT的源极也与象素电极相连；其漏极与数据总线相连施加负压；其栅极与栅总线相连用来加负压。

公开(公告)号：CN1404101A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02141410.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/949

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。