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公开(公告)号：CN101259789B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710196831.0
申请日：2007-12-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明提供液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置。本发明的目的在于实现液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置的紧凑。为了实现该目的，在作为用于将集墨腔(38)内的墨提供到压力腔(50)的流路的供墨用通孔(112)和供墨用通孔(44)的内壁形成连接线(86)。通过以连接线(86)来连接上电极(54)和连接到驱动IC(60)的金属线(90)，从而电连接上电极(54)和驱动IC(60)。因此，与在分立的孔形成用于布线的通孔和墨流路径的情况相比，在顶板(41)中形成较少的孔。因此，可以拓宽电布线区域，结果可以使得喷墨记录头(32)紧凑。
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公开(公告)号：CN1370680A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN02104714.6
申请日：2002-02-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在同一芯片内备有具有不同的开口大小和深度的多个液体排出口的液滴喷射记录装置。例如,在喷墨记录头(10)中,在叠层端面(18)上形成具有不同的深度的大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)。为了实现这种结构,首先用湿式异向性蚀刻来蚀刻相当于大墨水排出口(20)部分的硅基板(40),形成断面三角形的槽,然后用反应性离子蚀刻(RIE)来蚀刻相当于大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)部分的硅基板(40),借此完成包含大墨水排出口(20)和小墨水排出口(22)的流路基板(14)。因而,由于用RIE加工可以精度高地进行最终的流路形状的加工,另一方面用湿式异向性蚀刻可以高效地形成不同深度的槽,所以喷墨记录头(10)的生产率也提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111628404A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910826058.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 一种发光器、发光器件、光学装置和信息处理设备，该发光器包括：基板；驱动部，该驱动部被设置在所述基板上；光源，该光源被设置在所述基板上并且由所述驱动部驱动；覆盖部，该覆盖部被从所述光源发射的光透射通过并且被设置在所述光源的光轴方向上；以及支撑部，该支撑部被设置在所述基板的除了所述驱动部和所述光源之间的部分之外的部分上并且支撑所述覆盖部。
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公开(公告)号：CN111052309A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201980004281.9
申请日：2019-01-07
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明的半导体基板的制造方法包括下述工序：准备在正面(50)形成有外延层(12)的半导体基板(10)的工序；以及在外延层(12)上形成元件之前在半导体基板(10)的背面(52)形成破碎层(14)的工序。
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公开(公告)号：CN105590835B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510752088.7
申请日：2015-11-06
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
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公开(公告)号：CN105340064B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480034349.5
申请日：2014-06-26
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 该半导体片制造方法具有：用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。
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公开(公告)号：CN105340065A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035154.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
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