公开(公告)号：CN1510762A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123024.8

申请日：2003-12-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明提供通过防止TFT截止动作时增大漏泄电流的现象，从而提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制沟道区的导电性的栅电极，半导体层的表面有微小的凸部，栅电极的侧面的倾斜角大于半导体层的凸部的倾斜角。

公开(公告)号：CN1499647A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。

公开(公告)号：CN1159658A

公开(公告)日：1997-09-17

申请号：CN96120188.6

申请日：1996-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种具有CMOS结构的半导体电路，此CMOS结构包括n沟道道晶体管和p沟道晶体管，它们都具有由硅薄膜形成的有源区，此硅薄膜具有位于一具有绝缘表面的衬底上的结晶性。n沟道道晶体管和p沟道晶体管互补地构成CMOS结构。p沟道晶体管包含可增强有源区中非晶薄膜结晶性的催化剂元素，n沟道晶体管有源区中催化剂元素的浓度低于p沟道晶体管有源区中催化剂元素的浓度。