公开(公告)号：CN102347445A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110215067.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西润哉 ,  山崎信夫 ,  石原数也 ,  井上雄史 ,  玉井幸夫 ,  粟屋信义

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。

公开(公告)号：CN102194524A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064421.7

申请日：2011-03-17

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 川端优 ,  山崎信夫 ,  太田佳似 ,  石原数也 ,  栗屋信义 ,  北川章夫 ,  中山和也

IPC: G11C16/24

Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。

公开(公告)号：CN100442519C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。