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公开(公告)号:CN101918887B
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN200880124548.X
申请日:2008-12-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2201/40 , G02F2201/52
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。其为在像素电极(60)的沿着扫描信号线(32)的方向的长度(d1、d2)比沿着视频信号线(35)的方向的长度(d3)长的液晶显示装置,该液晶显示装置的特征在于:沿着扫描信号线(32)设置存储电容线(36),并且存储电容线(36)在俯视时与像素电极(60)隔着绝缘膜重叠。
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公开(公告)号:CN102933960A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180027417.1
申请日:2011-05-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01N27/4148
Abstract: 本发明提供能够在两离子混合存在的检体中高精度地测量离子浓度的离子传感器、显示装置、离子传感器的驱动方法和离子浓度的计算方法。本发明为包括场效应晶体管的离子传感器,上述离子传感器使用上述场效应晶体管检测负离子和正离子中的一个后,接着使用上述场效应晶体管检测负离子和正离子中的另一个。
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公开(公告)号:CN102933959A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180027373.2
申请日:2011-05-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01T1/24 , G01N27/4148
Abstract: 本发明提供低成本且能够高精度地检测正离子和负离子的离子传感器和显示装置。本发明是包括场效应晶体管的离子传感器,上述离子传感器还包括离子传感器天线和电容器,上述离子传感器天线和上述电容器的一个端子与上述场效应晶体管的栅极电极连接,在上述电容器的另一个端子被施加电压。
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公开(公告)号:CN102859605A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201180020790.4
申请日:2011-01-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C19/28 , G09G3/20 , G09G3/36 , G11C19/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/7869
Abstract: 具备与移位寄存段的第1晶体管具备的2个源极/漏极电极(Tr4s、Tr4d)中的至少一方在与上述第1晶体管的栅极电极(Tr4g)相反的一侧在膜厚方向相对的电容电极(CAPm)。电容电极(CAPm)和与电容电极(CAPm)相对的任一方源极/漏极电极(Tr4s、Tr4d)中的任一方与移位寄存段的输出晶体管的控制电极电连接。
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公开(公告)号:CN101968592A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN201010526001.1
申请日:2007-03-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02B5/20 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02B5/201 , G02F1/133514 , G02F2001/13606 , G02F2201/40 , G02F2201/52 , G09G3/3607 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219
Abstract: 本发明的显示装置具备与包括第一像素电极及第二像素电极的像素电极连接的多条信号线,其中,第一像素电极的端与第一信号线的中心线之间的距离,比第二像素电极的端与第二信号线的中心线之间的距离大;或者,第一像素电极的端和隔着第一像素电极与第一信号线相邻的信号线的中心线之间的距离,比第二像素电极的端和隔着第二像素电极与第二信号线相邻的信号线的中心线之间的距离大。
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公开(公告)号:CN101918887A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200880124548.X
申请日:2008-12-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2201/40 , G02F2201/52
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。其为在像素电极(60)的沿着扫描信号线(32)的方向的长度(d1、d2)比沿着视频信号线(35)的方向的长度(d3)长的液晶显示装置,该液晶显示装置的特征在于:沿着扫描信号线(32)设置存储电容线(36),并且存储电容线(36)在俯视时与像素电极(60)隔着绝缘膜重叠。
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公开(公告)号:CN101910932A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200880123410.8
申请日:2008-12-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/136286
Abstract: TFT阵列基板(20),在周边区域(A20)设置有第一金属层(M1)与第二金属层(M2)的连接点(P10),在周边区域(A20)设置有驱动电路(60),在连接点(P10)与TFT阵列基板(20)的端边(24)之间设置有作为驱动电路(60)的至少一部分的驱动电路(B60b)。
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公开(公告)号:CN101868756A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200880117232.8
申请日:2008-12-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F2001/13606
Abstract: 本发明提供一种提高了有源矩阵基板的特性和提高了黑白显示间的对比度的液晶显示装置。本发明是一种有源矩阵基板,该有源矩阵基板设置有:呈矩阵状配置的像素栅极;源极配线,其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置,且在列方向上延伸;和保持电容配线,其与源极配线交叉地配置,且在行方向上延伸,上述像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层,上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点,并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部,上述保持电容配线具有在列方向上延伸的延伸部,该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置,上述源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。
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公开(公告)号:CN103988252B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201280060243.3
申请日:2012-08-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1368 , G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2310/0286 , G09G2330/02 , G09G2330/027
Abstract: 提供能够在电源被切断时迅速除去面板内的残留电荷的、特别适合于采用IGZO-GDM的情况的液晶显示装置及其驱动方法。在液晶显示装置中,当检测到电源的切断状态时,执行包括初始化步骤、第1放电步骤以及第2放电步骤的电源切断次序。在初始化步骤中,将GDM信号中的仅清除信号(H_CLR)设为高电平,将构成移位寄存器的双稳电路的状态初始化。在第1放电步骤中,将GDM信号中的仅清除信号(H_CLR)设为低电平,使所有栅极总线成为选择状态而使像素形成部内的电荷放电。在第2放电步骤中,将清除信号(H_CLR)设为高电平,使双稳电路内的悬浮节点的电荷放电。
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公开(公告)号:CN102870163B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201180021264.X
申请日:2011-01-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677
Abstract: 本发明具有:第i电路部(1a、1b)(i为各个1≤i≤N(N为2以上的整数)的整数),其级联连接有多个移位寄存器级(SR1、SR2、…、SRn),通过上述第i电路部(1a、1b)各自专用的供给配线(10b、10c、10e、10f)被供给驱动各上述移位寄存器级(SR1、SR2、…、SRn)的驱动信号(CKA1、CKA2、CKB1、CKB2);和上述供给配线(10b、10c、10e、10f)。
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