公开(公告)号：CN1278175C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02159891.6

申请日：1996-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 島田尚幸 ,  梶谷優 ,  岡本昌也 ,  片山幹雄 ,  咲花由和 ,  山本明弘 ,  中田幸伸 ,  錦博彥 ,  近藤直文 ,  嵨田吉祐

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/35 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/40

Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。

公开(公告)号：CN1818767A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610003711.X

申请日：1996-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 島田尚幸 ,  梶谷優 ,  岡本昌也 ,  片山幹雄 ,  咲花由和 ,  山本明弘 ,  中田幸伸 ,  錦博彥 ,  近藤直文 ,  嵨田吉祐

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。

公开(公告)号：CN1172962A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN96111648.X

申请日：1996-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岛田尚幸 ,  梶谷优 ,  冈本昌也 ,  近藤文 ,  片山干雄 ,  咲花由和 ,  山本明弘 ,  中田幸伸 ,  錦博彦

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/35

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/40

Abstract: 一种透射型液晶显示器件,包括门极引线;源极引线和排列在近每一门极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件,每一开关元件的门极与门极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关每一开关元件的门极与门极引线相连,开关元件的源极与源极引线相连,漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连,开关元件、门极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜,中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。

公开(公告)号：CN109690661B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201780053900.4

申请日：2017-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  原义仁 ,  近间义雅 ,  中田幸伸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备：多个检查用TFT(10Q)，其配置在非显示区域(900)；以及检查电路(200)，其包含多个检查用TFT(10Q)，多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内，多个检查用TFT(10Q)各自包含：半导体层；下部栅极电极(FG)，其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧；上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧；以及源极电极和漏极电极，其连接到半导体层。

公开(公告)号：CN111919512A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201880091991.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中哲宪 ,  中田幸伸

IPC: H05B33/06 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 设置于边框区域(F)的折弯区域(B)中，在无机叠层膜(La)上形成开口部(Sa)，俯视时，在开口部(Sa)岛状地设置有多个无机层叠膜(La)的剩余层(Lba)，并且在相邻的剩余层(Lba)之间配置有边框配线(22)。

公开(公告)号：CN105793772B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480063249.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 液晶面板(11)包括：阵列基板(11b)，其具有显示部(AA)和非显示部(NAA)；配置在非显示部(NAA)的行控制电路部(28)；构成行控制电路部(28)的第一配线部(29)；第二配线部(30)，其构成行控制电路部(28)，并且以与第一配线部(29)交叉的形式配置在第一配线部(29)的上层侧；以介于第一配线部(29)与第二配线部(30)之间的形式配置的栅极绝缘膜(35)；和有机绝缘膜(40)，其配置在第二配线部(30)的上层侧，并且具有至少在与第一配线部(29)和第二配线部(30)的交叉部位(29a、30a)重叠的范围开口的开口部(31)，且由有机树脂材料构成。

公开(公告)号：CN104704546B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380051280.2

申请日：2013-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  前田昌纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/768 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 阵列基板(11b)包括：第1二极管(29)，该第1二极管(29)至少具有第1半导体部(29d)，该第1半导体部(29d)具有在俯视时与第1电极部(29a、29b)的外缘部(29a1、29b1)交叉的外缘部(29d1)；由第1金属膜(34)形成的共用配线(25)；由第2金属膜(38)形成且与共用配线(25)交叉的第1短路配线部(31)；和静电保护部(51)，该静电保护部(51)至少具有静电引导部(52)，该静电引导部(52)由第2金属膜(38)或保护膜(37)形成，在俯视时至少一部分与共用配线(25)重叠，且配置在与共用配线(25)和第1短路配线部(31)的交叉部位(CPT)相比相对靠近第1二极管(29)的位置，并且用于引导静电。

公开(公告)号：CN103155153B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180048169.9

申请日：2011-09-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/02

Abstract: 本发明的半导体装置（100）具备包括栅极电极（62a）、第一绝缘层（64）、氧化物半导体层（66a）、保护层（68）、源极电极（72as）和第二绝缘层（74）的薄膜晶体管（10），第一连接部（30）包括下部金属层（72c）、上部金属层（72c）和绝缘层（74），第二连接部（40）包括下部金属层（72d）和上部导电层（17d），在第二连接部（40）内形成有：下部金属层（72d）与上部导电层（17d）接触的区域；和在下部金属层（72d）与上部导电层（17d）之间层叠有包括与第一绝缘层相同的材料的绝缘层（74）和包括与氧化物半导体层（66a）相同的材料的半导体层（66d）的区域。由此，能够提供一种高的制造效率且更高性能的半导体装置。

公开(公告)号：CN103460391A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016326.2

申请日：2012-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/1365 ,  G02F2202/22 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置（100）具有二极管元件（10）。二极管元件（10）具有：与薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极（3）；氧化物半导体层（5）；和与薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与氧化物半导体层（5）接触的第二电极（6）和第三电极（7）。氧化物半导体层（5）在第一电极（3）与第二电极（6）之间、以及第一电极（3）与第三电极（7）之间分别具有偏置区域（19）。

公开(公告)号：CN103261959A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059588.2

申请日：2011-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  中田幸伸 ,  川岛慎吾 ,  西村淳

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的半导体装置（100A）具有：薄膜晶体管（10）；形成在薄膜晶体管（10）上的第一绝缘层（9）；形成在第一绝缘层（9）上的具有开口部（21a）的第二绝缘层（11）；和以从基板（1）的法线方向看时与氧化物半导体层（5）重叠的方式形成的遮光层（12a），遮光层（12a）形成于开口部（21a），遮光层（12a）的上表面具有凸状的曲面，并且，第二绝缘层（11）的上表面与遮光层（12a）的上表面相比位于基板（1）侧。